巯基乙酸对电解铜箔抗氧化性的影响

将铜箔浸渍于巯基乙酸(TGA)中,利用TGA分子的吸附作用在铜箔表面构筑一层致密的防氧化膜。通过高温氧化试验和电化学测试研究了TGA体积分数对吸附膜层在140℃高温下及3.5%NaCl溶液中的抗氧化性。通过Materials Studio软件模拟分析了TGA分子在Cu(111)面的吸附行为,确定了TGA分子的吸附状态和全局反应活性。结果表明,TGA膜层能有效抑制铜箔的氧化变色,当TGA体积分数为0.05%时膜层的抗氧化性最佳。TGA在铜箔表面的吸附符合Langmuir单层吸附模型。TGA通过其亲电中心S原子提供电子与铜形成配位,从而垂直吸附在Cu(111)表面。

化学镀银对微带线插入损耗的影响

5G以及物联网的迅速发展给印制电路板制造技术带来了巨大的挑战,高频率低时延信号的传输对微波射频板提出了更高的要求。除了对电路板的叠层结构以及高精度线路的制作之外,不同表面处理方式对高频信号传输的影响也不容忽视。由于银层具有良好的导电、耐候及可焊性能,化学镀银已成为微波射频板优选的表面处理方式。文章研究了化银工艺前后处于裸铜、化银前处理、化银后三个阶段不同状态的微带线插入损耗的变化,并通过改变化银传输速率来研究化银厚度对微带线高频高速信号传输的影响,结果表明裸铜及前处理阶段微带线插损无明显变化,化银处理后相比于裸铜微带线损耗在25 GHz时增加了11%。随着化银厚度的增加,其微带线插损呈现增大趋势,可能是由于银镀层中含有10%以上的碳元素导致经过化银处理后的微带线相比于裸铜阶段阻抗增大了1.5%。