InGaN/GaN量子阱悬空微盘发光二极管

设计并制备了三种不同结构的电泵浦InGaN/GaN量子阱微盘发光器件,对其光增益和光损耗进行了分析和优化。以p型层的结构为分类标准,器件Ⅰ为圆柱形;器件Ⅱ为器件Ⅰ的悬空结构;器件Ⅲ是悬空的圆环形结构。实验和仿真结果表明,三种器件结构中,器件Ⅱ的结果最好。电极布局为内p外n型的圆柱形器件表面电流分布能够保证发光区和微腔高增益区重合,悬空结构能够降低微盘在垂直方向上的光损耗,有利于更好的光学增益。考虑到共振模式,器件Ⅱ在注入电流大于0.7 mA时,器件Ⅱ实现了峰值波长为408.2 nm、半峰宽为2.62 nm的振荡模式输出。这种电泵浦InGaN/GaN量子阱悬浮微盘二极管器件的设计思路对电泵浦微盘或微环激光器的研制具有重要参考意义。

浅析机械生产制造自动化发展现状及前景

机械生产制造自动化技术通过自动化的生产技术能够有效节约人力资源,提升我国工业生产的效率,推动精加工产业的发展。我国当前正处于经济发展的关键时期,在这个重要阶段,为了能够满足市场的大量需求,就需要工业制造企业提升其生产效率与质量,不断向市场供应高品质的产品。机械生产制造自动化已成为我国工业领域的新常态,此技术被各工业企业广泛应用,且有大量科学研究人员在进一步加大对机械生产制造自动化技术的研究。为了能够进一步推动机械生产制造自动化技术的发展,本文针对机械生产制造自动化发展现状与前景进行分析,首先分析了此技术的发展现状,之后提出了此技术的发展前景,并且指出了发展此技术所需要的保障。