异质形核生长高效多晶硅研究

本文通过对多晶硅铸造全熔工艺异质形核理论的研究,选择优异的形核剂并制备良好的形核层,依靠涂层工艺的创新及铸锭工艺优化,确保全熔工艺下涂层内异质形核的可形核数,减小润湿角。结果显示,SiO2异质形核全熔工艺的多晶硅锭平均少子寿命达7.02μs,硅锭出材率达到66.21%,比半熔工艺硅片的电池光电转换效率略高。

高效多晶硅锭侧部缺陷生长抑制工艺

靠近铸锭坩埚的多晶硅片因坩埚杂质扩散以及杂质分凝到头部等影响,在电池制作过程中会导致硅片从尾部到头部出现效率衰减情况。本文主要通过抑制硅锭侧部杂质扩散和形核长晶,将头尾衰减区域提高,从而达到提升硅片整体效率的目的。结果显示,硅块少子寿命的“花纹”比例(位错)均值明显程下降趋势,平均下降了2.54%。从硅锭底部至头部的硅片制作成电池的转换效率衰减趋势降低,平均效率提升约0.1%。