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压制压力对Si-Al电子封装材料性能的影响 被引量:4
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作者 冯曦 杨迎新 +2 位作者 郑子樵 李世晨 杨培勇 《中南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期198-203,共6页
采用粉末冶金液相烧结工艺制备Si 50Al电子封装材料,研究了压制压力对材料性能的影响。研究结果表明:增大压制压力可提高材料致密度,有效地促进界面的反应结合,使材料热导率提高;但当压制压力过大时,由于Si颗粒发生开裂甚至解理,界面热... 采用粉末冶金液相烧结工艺制备Si 50Al电子封装材料,研究了压制压力对材料性能的影响。研究结果表明:增大压制压力可提高材料致密度,有效地促进界面的反应结合,使材料热导率提高;但当压制压力过大时,由于Si颗粒发生开裂甚至解理,界面热阻急剧上升,导致热导率下降;高压制压力导致Si Al体系在945 ℃附近出现1个放热过程,这个放热过程对应于该温度下氧化铝薄膜的破裂以及随后Al与Si颗粒表层SiO2 的界面反应;诱发Al 和SiO2 反应的是高压制压力所造成的界面处储能,这使体系润湿性大幅度提高,改善了材料的热导性能。 展开更多
关键词 Si—Al电子封装材料 液相烧结 压制压力 热导率
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