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直拉单晶硅片“黑心”现象性质分析
1
作者
陈文浩
凌继贝
周浪
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第2期348-353,共6页
对一种黑心片样品进行了分析。在确认黑心区为低少子寿命区的基础上,发现其电阻率明显偏高;发现黑心区经Secco刻蚀后,表面密布重叠圆形蚀坑,但与普通位错蚀坑有明显特征性区别;从其密度、形状与出现条件来看,它与电子半导体业中普遍报...
对一种黑心片样品进行了分析。在确认黑心区为低少子寿命区的基础上,发现其电阻率明显偏高;发现黑心区经Secco刻蚀后,表面密布重叠圆形蚀坑,但与普通位错蚀坑有明显特征性区别;从其密度、形状与出现条件来看,它与电子半导体业中普遍报告的氧化堆垛层错(OSF)也不一致;进一步发现黑心区经Sirtle刻蚀后,表面呈现典型的大小明显不同的两种漩涡缺陷蚀坑,其密度明显低于上述Secco蚀坑。根据所得结果推测:黑心区主要密布一种性质上与普通位错相近,而所造成晶格畸变特征与范围不同于普通位错的晶格缺陷,它不属于已知的OSF微缺陷,而可能是一种由结晶生长过程中过饱和氧沉淀诱发形成的位错环;此外,黑心区还含有少量漩涡缺陷。
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关键词
单晶硅
黑心
位错环
漩涡缺陷
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职称材料
题名
直拉单晶硅片“黑心”现象性质分析
1
作者
陈文浩
凌继贝
周浪
机构
南昌大学光伏研究院
江西豪安能源科技有限公司
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第2期348-353,共6页
基金
国家自然科学基金(51361022)
文摘
对一种黑心片样品进行了分析。在确认黑心区为低少子寿命区的基础上,发现其电阻率明显偏高;发现黑心区经Secco刻蚀后,表面密布重叠圆形蚀坑,但与普通位错蚀坑有明显特征性区别;从其密度、形状与出现条件来看,它与电子半导体业中普遍报告的氧化堆垛层错(OSF)也不一致;进一步发现黑心区经Sirtle刻蚀后,表面呈现典型的大小明显不同的两种漩涡缺陷蚀坑,其密度明显低于上述Secco蚀坑。根据所得结果推测:黑心区主要密布一种性质上与普通位错相近,而所造成晶格畸变特征与范围不同于普通位错的晶格缺陷,它不属于已知的OSF微缺陷,而可能是一种由结晶生长过程中过饱和氧沉淀诱发形成的位错环;此外,黑心区还含有少量漩涡缺陷。
关键词
单晶硅
黑心
位错环
漩涡缺陷
Keywords
mono-crystalline silicon
black core
dislocation loop
swirl defect
分类号
TK514 [动力工程及工程热物理—热能工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
直拉单晶硅片“黑心”现象性质分析
陈文浩
凌继贝
周浪
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
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