Fe_3O_4 p型掺杂对有机电致发光器件性能的提高

将金属氧化物Fe3O4在空穴传输材料中进行p型掺杂并制作有机电致发光器件,使器件的开启电压由5V降至2.5V;20mA/cm2电流密度下的功率效率由1.2lm/W提高到2.0lm/W;10V下的亮度由1680cd/m2提高到30590cd/m2。紫外-可见-红外吸收光谱及紫外光电子能谱的测试分析结果表明,p型掺杂剂的引入不仅能够提高器件的空穴传输能力,而且使空穴的注入势垒降低了0.37eV,从而可制作出低驱动、高效率、高亮度的有机电致发光器件的制作。

控制外延层过渡区改善Icm参数

双极型晶体管的Icm参数是衡量其大电流特性的重要参数,Icm的定义为:共发射极电流放大倍数下降最大值的一半时所对应的集电极电流。Icm参数是衡量晶体管大电流特性的重要参数,通过优化工艺,可以有效减少外延材料过渡区宽度,并且在Gemini2外延炉上生产出的外延材料Icm参数已达到国内先进水平。

浅议中小企业行政人员的绩效管理

随着社会的不断发展进步,越来越多的中小企业开始认识到绩效管理的重要性。但是行政工作人员事务性工作多,如何做好绩效管理,调动他们的工作积极性,成了摆在很多HR工作人员面前的一道难题。

半绝缘多晶硅SIPOS工艺与应用

反向击穿电压较高的半导体器件,一般采用台面玻璃钝化工艺,但这种工艺有不少弊端。因此人们一直努力使高耐压半导体器件工艺平面化,而在这当中表面钝化工艺的选择与应用是个关键。半绝缘多晶硅(SIPOS)的开发几乎与高压平面器件工艺的研究同步。但是由于SIPOS工艺具有一定的难度,普遍应用尚有待时日。文章简要介绍了我们在SIPOS工艺试验与应用方面所做的一些工作。

贴片半导体分立器件测试筛选装置设计

随着世界经济的不断发展,半导体分立器件产业自身的竞争逐步由区域竞争走向世界范围内的竞争。半导体分立器件制造商面对竞争不断加剧的不利局面,纷纷走向了融合,制造企业间相互并购整合与资本运作活动日趋频繁。由于此项产业对于半导体元器件的质量需求较高,相关检测技术一直被垄断掌握,同时半导体元器件和一个国家国防、航空航天等息息相关,因此掌握这项检测技术对于我国走自主发展道路,提高国家综合实力有着重要的作用。

LPCVD制备Si_3N_4薄膜工艺研究

本文简要介绍了Si3N4薄膜的制备方法,详细介绍了低压化学气相淀积(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)LPCVD制备氮化硅的工艺。并对工艺的结果进行了适当的分析,为LPCVD制备高质量的Si3N4薄膜奠定了基础。

专业招聘应注意的细节

作为人力资源工作从事者来说，首先需要面对的就是招聘的问题。如何让招聘产生实效？如何让人才招聘推动企业可持续发展？禹志要说：“人才招聘重在细节”。招聘工作人人能做，为什么效果各不相同？主要是因为对人才招聘的整个流程和细节的把握掌控不一样。从明确招聘需求——发布招聘信息——甄选简历——组织面试——背景调查——录用决策——入职跟进等整个流程来看，看似大家都熟知的流程，也都是一些常规化的工作，但如果某一个环节疏忽大意，不注小节，便会失去招到一次合适人才的机会。招聘细节体现了公司文化，良好的细节会让人感觉很舒服，无论通过与否，都会使应聘者认为，这家公司很规范，氛围也很好，无形中给企业加分。

超低电容TVS二极管的沟槽工艺开发

超低电容TVS二极管结构中,硅沟槽不仅仅用于填充多晶硅进行介质隔离,还要利用沟槽将雪崩二极管从平面改到纵向完成,降低有源区面积。本文通过引入新型掩膜材料,优化工艺,提升了沟槽的垂直度;多晶硅生长过程中引入小比例的HCL气体,控制了槽口多晶硅生长速度过快的问题;优化了多晶硅退火工艺,消除了多晶硅生长过程中晶核未完全晶化的影响,提升了磷在多晶硅中分布的均匀性。

RF功率对PECVDN备SiN薄膜性能的影响

为了得到Si3N4薄膜的性质和制备参数之间的对应关系，利用射频等离子体增强化学气相淀积在单晶硅的（100）面上制备了Si3N4薄膜，反应气体是SIH4和氨气的混合气。研究了射频源的输入功率对Si3N4薄膜性能的影响。结果显示：虽然Si3N4薄膜制备功率不一样，但其表面的光滑性和致密性没有差异。除此之外，薄膜表面的粗糙度随功率的增大而减小；薄膜的沉积速率也随功率的增大呈上升趋势；薄膜的腐蚀速率随功率的增大而减少；薄膜的均匀性也随着LF功率的增加而减小。

等离子化学气相淀积设备抗干扰的应用研究

阐述对半导体行业等离子化学气相淀积设备干扰的基本发生源头,干扰现象以及设备维修人员在维修过程中抗干扰应采取的措施。

干法刻蚀工艺的优化和开发

文章阐述了二氧化硅干法蚀刻的原理和主要的蚀刻参数。应用正交实验,优化了蚀刻速率、均匀性、选择比等主要蚀刻参数,得出主要工艺参数的设置方法和理想条件漂移时的调整方法以及优化选择比的蚀刻方案。