基于PLC和TD400C的建筑玻璃真空镀膜生产线电气系统控制

介绍了利用S7-200 CPU226和TD400C文本显示器友好人机界面构成真空镀膜生产线控制系统的组成、特点,程序编制及在应用中注意的问题.实现了建筑玻璃真空镀膜生产过程的自动化.

硫化钨薄膜制备方法的研究

层状物固体润滑薄膜是固体润滑薄膜中最常用的形式,这种薄膜都具有优良的减摩、耐磨、抗擦伤性能。本文介绍了目前主要的硫化钨薄膜的制备方法,并通过射频溅射方法和硫化法制备了硫化钨薄膜,对各种制备方法进行了对比。通过溅射方法获得的硫化钨薄膜的化学成分会随工作压力和溅射功率发生变化,同时薄膜的结晶率不高,而非晶态WS2薄膜的摩擦性能具有不确定性。但目前溅射方法仍是固态硫化钨薄膜最主要的制备方法。而通过硫化WO3薄膜获得的WS2薄膜,可以通过调整硫化温度和保温时间来获得具有较好的结晶性和有利的晶粒取向,从而提高薄膜的摩擦学性能。通过这种方法获得的WS2薄膜的一些其它性能,尚需作进一步研究。

射频溅射法制备硫化钨固体润滑薄膜的研究

本文研究了采用射频溅射法以3Cr13马氏体不锈钢为基片制备硫化钨薄膜。实验分别采用了不同的溅射功率、工作气压和沉积时间来制备样品。之后对三组样品分别进行物相分析、表面形貌观察、测定微区化学成分、结合力和摩擦系数。结果表明:通过射频溅射法可获得非晶态WS2薄膜,薄膜的S/W比一般小于2,并受溅射工艺影响较为明显,随着溅射功率的升高逐渐降低,随着溅射时间的延长明显升高。薄膜结合力受溅射工艺影响并不显著。通过射频溅射所获得薄膜的摩擦系数在一定范围内与其硫钨比成反比。

Ti／Ni过渡层对WS2薄膜摩擦学性能影响

采用射频溅射法,通过预先制备Ti和Ni 2种过渡层的工艺在3Cr13马氏体不锈钢基片上制备了硫化钨薄膜,通过与无过渡层的射频溅射WS2薄膜对比,研究了2种过渡层对薄膜性能的影响.3种样品的物相分析,表面形貌观察,微区化学成分测定,膜基结合力和薄膜摩擦系数测试等结果表明,Ti过渡层对硫化钨薄膜结构和S/W原子比没有明显的影响,对膜层的摩擦系数影响也不大,但薄膜耐磨性有所提高.而Ni过渡层虽对S/W原子比无明显影响,但却明显地提高薄膜Ⅱ型织构(基面取向)的强度,从而降低了薄膜的摩擦系数,提高了薄膜耐磨性.

硫化法在不锈钢基体上制备硫化钨薄膜的研究

本文研究了采用硫化法以3Cr13马氏体不锈钢为基片制备硫化钨薄膜。实验首先在3Cr13马氏体不锈钢上制备氧化钨薄膜,然后在石英加热炉内加入一定量的硫粉对氧化钨薄膜进行硫化处理。分别采用200℃、400℃、600℃三种硫化温度,保温4h。对三组样品分别进行物相分析,表面形貌观察,测定微区化学成分、结合力和摩擦磨损系数。结果表明:温度对硫化钨薄膜的表面形貌和结晶率有明显的影响,对膜层的化学成分影响不大,薄膜能够有效地改善不锈钢基体的摩擦学性能。实验证明:通过这种方法可以成功地在3Cr13马氏体不锈钢基片制备硫化钨薄膜。

硫化温度对硫化钨薄膜摩擦性能的影响

采用硫化法以3Cr13马氏体不锈钢为基片制备硫化钨薄膜,研究了硫化温度对薄膜性能的影响。结果表明,硫化温度对硫化钨薄膜的表面形貌和结晶率有明显影响,但对膜层的化学成分影响不大,薄膜能够有效改善不锈钢基体的摩擦学性能。随着硫化温度的升高,摩擦系数降低,测试环境和测试条件对薄膜的摩擦系数也有一定影响。

射频溅射工艺对WSx薄膜摩擦性能的影响

采用射频溅射法以3Cr13马氏体不锈钢为基片制备了硫化钨薄膜。通过物相分析和表面形貌观察,以及测定微区化学成分、结合力和摩擦因数,研究了溅射功率、工作压力和沉积时间等溅射工艺条件对薄膜摩擦性能的影响。结果表明通过射频溅射法可获得非晶态WSx薄膜,薄膜的S/W比一般小于2,并受溅射工艺影响较为明显,随溅射功率的升高逐渐降低,随溅射时间的延长明显升高。薄膜结合力受溅射工艺影响并不显著。通过射频溅射所获得薄膜的摩擦因数在一定范围内与其硫钨比成反比。

管状空心阴极型磁控溅射技术的研究

提高磁控溅射薄膜沉积过程总体沉积粒子中的荷电粒子比例,可以使薄膜的沉积过程更具有电磁场作用下的引导性,这将直接导致所得沉积薄膜的组份、结构、表面形貌和晶粒度发生明显的变化。本文通过空心阴极磁控溅射技术,对不同沉积工艺位置条件下所得到的两种氮化钛膜层进行了测试分析和讨论。