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Mg和Ni共掺杂的ZnO稀释磁性半导体在磁性和光催化的应用
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作者 Tahir Iqbal M.Irfan +4 位作者 Shahid M.Ramay Abdullah Alhamidi Hamid Shaikh Murtaza Saleem Saadat A.Siddiqi 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2020年第6期743-748,I0003,共7页
随着引入磁性元素,氧化锌最近被广泛用作磁性半导体.本文报告了Mg和Ni共掺杂的ZnO的纯相合成,并研究其结构、光学、磁性和光催化特性.X射线衍射分析显示其六方纤锌矿型结构具有P63mc构型且不含任何杂质.紫外可见分光光度法表明,随着ZnO... 随着引入磁性元素,氧化锌最近被广泛用作磁性半导体.本文报告了Mg和Ni共掺杂的ZnO的纯相合成,并研究其结构、光学、磁性和光催化特性.X射线衍射分析显示其六方纤锌矿型结构具有P63mc构型且不含任何杂质.紫外可见分光光度法表明,随着ZnO中掺杂的Mg和Ni含量增加,带隙发生变化.磁性测量实验显示Ni和Mg共掺杂的ZnO磁性加强,带隙的稳定进一步证实其结构的稳定性,实现了其在现代自旋电子设备的磁调谐性能.对甲基绿的光催化降解实验结果表明,Mg和Ni共掺杂ZnO的活性增强. 展开更多
关键词 氧化锌 稀释磁性半导体 X射线衍射 紫外可见分光光度法 磁性能 光催化
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