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直流偏磁场对第二类哑玲畴长度的影响
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作者 唐贵德 王洪信 +1 位作者 徐继东 聂向富 《四川师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1996年第5期68-69,共2页
本文通过研究直流偏磁场Hb对标称成份为(YSmCa)3(FeGe)5O12石榴石磁泡材料中第二类哑铃畴(ID)长度的影响,观察到:1)ID的长度随Hb的升高而缩短;2)经过直流偏场从低到高两次大幅度地准静态升降,ID... 本文通过研究直流偏磁场Hb对标称成份为(YSmCa)3(FeGe)5O12石榴石磁泡材料中第二类哑铃畴(ID)长度的影响,观察到:1)ID的长度随Hb的升高而缩短;2)经过直流偏场从低到高两次大幅度地准静态升降,ID长度与Hb的关系曲线基本重合;3)随着Hb的升高,直至IID缩灭的过程中,较长ID与较短ID的长度比变化不大.这些实验现象暗示。 展开更多
关键词 磁泡膜 哑铃畴 石榴石磁泡材料 直流偏磁场
全文增补中
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