橘皮素的提取及应用研究进展

橘皮素是一种重要的天然多甲基黄酮类化合物,本文主要介绍了橘皮素的提取方法及其应用于有机化学、生命科学等领域的研究进展。

LED倒装芯片Ni/Ag/Au结构反射层的退火工艺

针对LED倒装芯片中p-GaN与Ni/Ag/Au金属反射层之间的接触进行了研究,找到最优工艺条件。以光学反射率(455 nm波长)、比接触电阻率(SCR)、样品表面均方根粗糙度(RMS)和倒装芯片电参数测试结果为依据,找出Ni/Ag/Au金属反射层在N2环境下的最优退火条件。在不同N2流速、退火时间、退火温度下退火的Ni/Ag/Au金属反射层应用于254μm×559μm的GaN基发光二极管,来减小Ni/Ag/Au金属反射层与p-GaN比接触电阻率,降低LED工作电压及提高光学反射率、增强LED的发光亮度。并分析其在60 mA工作电流下正向电压和光输出功率的变化,在最优条件下制得的LED在直流电流60 mA下的正向平均电压为3.27 V,平均光输出功率为88.9 mW。

LED制备中剥离技术的研究进展

随着LED芯片功率的增加,结温升高导致传统LED芯片的可靠性和使用寿命明显下降。介绍了LED芯片的研究背景,指出散热问题是制约LED芯片发展的重要因素,因此研发可靠性高的散热技术已成为制备新型LED芯片的重要研究方向。详细论述了三种剥离技术在制备新型LED芯片中所起的重要作用及目前的技术水平。激光剥离技术剥离速度快、发展相对成熟;化学剥离技术对GaN薄膜损伤小、良率高、但剥离速度慢;机械剥离技术良率低,在LED领域应用较少。从工业化生产的角度指出了剥离技术未来的发展方向。

p-GaN与ITO欧姆接触的研究

针对GaN基发光二极管中p-GaN与透明导电薄膜ITO之间的接触进行研究,尝试找出透明导电层ITO的优化制程条件。将在不同氧流量、ITO厚度及退火温度下制备的透明电极ITO薄膜应用于GaN基发光二极管,来增加电流扩展,减小ITO与p-GaN欧姆接触电阻,降低LED工作电压及提高透过率、增强LED发光亮度。将ITO薄膜应用于218μm×363μm GaN基发光二极管LED,分析其在20 mA工作电流条件下正向电压和光输出功率的变化,在优化条件下制得的蓝光LED在直流电流20 mA下的正向电压3.23 V,光输出效率为23.25 mW。