复合掺杂CeO_2基电解质性能与烧结温度关系

实验发现，用复合掺杂法可以有效地降低ＣｅＯ２基电解质的烧结温度．用Ｓｍ２Ｏ３和Ｇｄ２Ｏ３共同掺杂时，可以使ＣｅＯ２基电解质的烧结温度从１６００℃左右降低到１４００—１４５０℃．复合掺杂的ＣｅＯ２基电解质电导率随着烧结温度的提高而下降，这可能是由于晶间玻璃相的增多和新相的出现造成的；Ｘ射线衍射分析发现，对１４００—１５５０℃烧结的样品，Ｓｍ２Ｏ３和Ｇｄ２Ｏ３固溶较好，但对１６００℃烧结的样品，可见新相生成，同时伴随着晶格常数减小．

掺锗CZSi中光致发光谱的研究

本文研究了掺有不同浓度锗的直拉硅（ＣＺＳｉ）在温度３５０℃～５５０℃等时退火后的光致发光谱（ＰＬ谱）。结果发现：杂质锗使硅材料的本征激发峰强度增加，ＰＬ谱随着锗浓度的增加，峰位向低能端移动，ＰＬ峰变宽。实验也表明：随着退火温度的升高，在ＰＬ谱的低能端出现了新的激发峰，锗的存在推迟和抑制了新的激发峰的产生；与不掺锗的直拉硅相比，锗并没有在硅中引入新的深能级。