非有意掺杂LEC SI GaAs中EL2分布特性的研究

测量比较了不同条件下热处理后非有意掺杂半绝缘(SI)LEC GaAs中EL2浓度及其分布的变化,为了分析这一变化,还检测了位错和As沉淀的分布。在实验结果基础上,对EL2分布不均匀性的起源和热处理改善EL2分布均匀性的机理进行了讨论。

GaAs大面积液相外延载流子均匀性的研究

采用液相外延技术在(100)GaAs衬底上生长无位错外延层,对外延片的载流子均匀性进行了测试和分析。为了改善载流子分布的均匀性,采用了脱氧15h,熔源8h以上,再同一源重复使用、多次生长的液相外延工艺。同时,为了满足实验的需要,设计了一种新型推拉式石墨舟。实验结果表明此方法是可取的。

GaAs中碳的补偿率对红外吸收方法测定其浓度的影响

通过直接测量GaAs中碳(C)的局域振动模(LVM)红外吸收带随其荷电态的变化,研究了GaAs中碳的LVM红外吸收与其荷电态的关系。结果表明,该吸收带对C的荷电态是不敏感的,红外吸收测定GaAs中碳浓度的方法对不同C补偿率的样品都是适用的。

显示GaAs/AlGaAs缺陷的新方法——超声AB腐蚀

本文提出了一种采用超声 AB腐蚀方法显示 GaAs/AlGaAs单晶缺陷的新方法.该方法可以在自然光环境、常温下显示位错露头、位错线、层错、微沉淀及生长条纹等多种晶体缺陷,分辨率高,腐蚀坑形状规则,操作简便.

微波辐射计在航空遥感海冰中的应用研究

本文建立了海冰的微波幅射理论模型,并分析和处理了航空遥感测试数据。本文以L·Tsang和J·A·Kong的单层模型为基础,将其模型进一步推广,给出了一般多层随机介质的非相干波幅射模型,指出可用一组线性方程组来描述层状介质的微波辐射,并用稀疏矩阵求得了方程组的解。在此基础上,对某些特定情况下的模型进行了分析,研究了微波辐射计探测冰厚的能力与穿透深度的定量关系。指出最大探测厚度正比于穿透深度,比例系数在1～1.5之间。同时从能量传输的角度出发,给出了相应的物理意义。还利用优化技术对实验结果进行回归分析,给出了不同波段的处理结果,同时与模型的计算结果进行了比较和解释。

用于细胞显微图像处理的动态封闭窗

文章提出了用于细胞显微图像分割中的一种开窗方法。根据图像灰度及灰度梯度特征,在设定区域内,用80条射线及4个分区,以图像识别的方法,自动形成动态封闭窗口。提高了分割的准确度及处理速度。临床实验表明,对泌尿系统脱落细胞的分割是很有效的。

用改进的Van der Pauw法测定方形微区的方块电阻

借助于显微镜放大8×10倍,用目视法将四探针针尖分别控制在样品的面积为100μm×100μm的方形微区的内切圆外四个角区内,利用改进的Van der Pauw法能测定它的方块电阻。测量不受探针游移的影响,无需用测定探针的精确几何位置来进行边缘效应修正。本文利用有限元法对此结论给予证明,并通过金微触点的方块电阻测定得到证实。