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单片式外延炉在硅外延生产中的应用
被引量:
3
1
作者
赵丽霞
《电子工业专用设备》
2005年第11期37-40,共4页
使用单片式外延炉生产的硅外延材料具有良好的厚度和电阻率均匀性。该外延炉具有良好的系统气密性、较大的生产能力、大直径外延(150~300mm)加工能力、较广阔的应用范围等优点,已经成为国际上硅外延片生产的发展主流。利用单片炉的各...
使用单片式外延炉生产的硅外延材料具有良好的厚度和电阻率均匀性。该外延炉具有良好的系统气密性、较大的生产能力、大直径外延(150~300mm)加工能力、较广阔的应用范围等优点,已经成为国际上硅外延片生产的发展主流。利用单片炉的各种优点,在150~200mm重掺砷和P型衬底上外延、150mmBiCMOS薄层外延、150mmSiGe和SOI外延等领域进行了生产应用。将所得性能参数和批式外延炉性能参数进行比较,获得的性能参数试验结果在原有基础上得到了很大的提高。实验研究结果应用于实际批量生产。
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关键词
单片式外延炉
外延生长
均匀性
缺陷
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职称材料
题名
单片式外延炉在硅外延生产中的应用
被引量:
3
1
作者
赵丽霞
机构
河北普兴电子材料有限公司
出处
《电子工业专用设备》
2005年第11期37-40,共4页
文摘
使用单片式外延炉生产的硅外延材料具有良好的厚度和电阻率均匀性。该外延炉具有良好的系统气密性、较大的生产能力、大直径外延(150~300mm)加工能力、较广阔的应用范围等优点,已经成为国际上硅外延片生产的发展主流。利用单片炉的各种优点,在150~200mm重掺砷和P型衬底上外延、150mmBiCMOS薄层外延、150mmSiGe和SOI外延等领域进行了生产应用。将所得性能参数和批式外延炉性能参数进行比较,获得的性能参数试验结果在原有基础上得到了很大的提高。实验研究结果应用于实际批量生产。
关键词
单片式外延炉
外延生长
均匀性
缺陷
Keywords
Single wafer epi equipment
Deposition
Uniformity
Defects
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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被引量
操作
1
单片式外延炉在硅外延生产中的应用
赵丽霞
《电子工业专用设备》
2005
3
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职称材料
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