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衬底去边宽度对高阻厚层硅外延片参数的影响
1
作者
米姣
张涵琪
+2 位作者
薛宏伟
袁肇耿
吴会旺
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第11期875-880,886,共7页
硅外延片的参数受衬底以及外延层两方面影响,研究了衬底背面SiO_(2)层边缘去除宽度(简称去边宽度)对高阻厚层硅外延片参数的影响。对比0、0.3和0.5 mm三种去边宽度硅外延片的参数发现,去边宽度对外延层厚度不均匀性没有影响,对外延层电...
硅外延片的参数受衬底以及外延层两方面影响,研究了衬底背面SiO_(2)层边缘去除宽度(简称去边宽度)对高阻厚层硅外延片参数的影响。对比0、0.3和0.5 mm三种去边宽度硅外延片的参数发现,去边宽度对外延层厚度不均匀性没有影响,对外延层电阻率不均匀性影响巨大,外延层电阻率不均匀性与衬底去边宽度呈正比。衬底去边宽度也会影响外延片的外观、表面颗粒以及滑移线。进一步研究了去边宽度对后续制备MOS管在晶圆片内击穿电压分布的影响,发现去边宽度越宽,晶圆片内MOS管击穿电压差越大。综合考虑外延片及其制备器件参数,选择0.3 mm为制备高阻厚层硅外延片的最佳去边宽度,可以获得优良的外延片参数及器件特性。
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关键词
去边宽度
高阻厚层硅外延片
不均匀性
滑移线
击穿电压
下载PDF
职称材料
维护周期对8英寸薄层Si外延片性能的影响
被引量:
1
2
作者
米姣
薛宏伟
+4 位作者
袁肇耿
吴晓琳
张佳磊
张双琴
石巧曼
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第11期874-879,904,共7页
研究了采用某款单片外延设备批量生长8英寸(1英寸=2.54 cm)薄层Si外延片时芯片性能参数的变化。研究发现随着设备预防性维护(PM)后使用天数的增加,外延层厚度不均匀性变化很小,电阻率不均匀性逐渐增大,边缘过渡区逐渐加长,注入反应腔室...
研究了采用某款单片外延设备批量生长8英寸(1英寸=2.54 cm)薄层Si外延片时芯片性能参数的变化。研究发现随着设备预防性维护(PM)后使用天数的增加,外延层厚度不均匀性变化很小,电阻率不均匀性逐渐增大,边缘过渡区逐渐加长,注入反应腔室的掺杂量必须不断减少才能保持外延层电阻率稳定。通过研究PM后不同天数外延片制备肖特基势垒二极管(SBD)的击穿电压发现,外延片不同区域制备的SBD击穿电压差随PM后天数的增加而增加。通过增加外延片边缘厚度,提高了PM后期外延片边缘区域制备SBD的击穿电压,击穿电压最大值与最小值之差从4.34 V减小到2.88 V,满足客户使用要求。
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关键词
薄层硅外延片
电阻率
过渡区
击穿电压
不均匀性
维护周期
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职称材料
题名
衬底去边宽度对高阻厚层硅外延片参数的影响
1
作者
米姣
张涵琪
薛宏伟
袁肇耿
吴会旺
机构
河北普兴电子科技股份有限公司河北省硅基外延材料工程技术创新中心
中北大学理学院
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第11期875-880,886,共7页
文摘
硅外延片的参数受衬底以及外延层两方面影响,研究了衬底背面SiO_(2)层边缘去除宽度(简称去边宽度)对高阻厚层硅外延片参数的影响。对比0、0.3和0.5 mm三种去边宽度硅外延片的参数发现,去边宽度对外延层厚度不均匀性没有影响,对外延层电阻率不均匀性影响巨大,外延层电阻率不均匀性与衬底去边宽度呈正比。衬底去边宽度也会影响外延片的外观、表面颗粒以及滑移线。进一步研究了去边宽度对后续制备MOS管在晶圆片内击穿电压分布的影响,发现去边宽度越宽,晶圆片内MOS管击穿电压差越大。综合考虑外延片及其制备器件参数,选择0.3 mm为制备高阻厚层硅外延片的最佳去边宽度,可以获得优良的外延片参数及器件特性。
关键词
去边宽度
高阻厚层硅外延片
不均匀性
滑移线
击穿电压
Keywords
edge exclustion width
thick silicon epitaxial wafer with high resistance
nonuniformity
slip
breakdown voltage
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
维护周期对8英寸薄层Si外延片性能的影响
被引量:
1
2
作者
米姣
薛宏伟
袁肇耿
吴晓琳
张佳磊
张双琴
石巧曼
机构
河北普兴电子科技股份有限公司河北省硅基外延材料工程技术创新中心
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第11期874-879,904,共7页
基金
河北省科技重大专项资助项目(19010206Z)。
文摘
研究了采用某款单片外延设备批量生长8英寸(1英寸=2.54 cm)薄层Si外延片时芯片性能参数的变化。研究发现随着设备预防性维护(PM)后使用天数的增加,外延层厚度不均匀性变化很小,电阻率不均匀性逐渐增大,边缘过渡区逐渐加长,注入反应腔室的掺杂量必须不断减少才能保持外延层电阻率稳定。通过研究PM后不同天数外延片制备肖特基势垒二极管(SBD)的击穿电压发现,外延片不同区域制备的SBD击穿电压差随PM后天数的增加而增加。通过增加外延片边缘厚度,提高了PM后期外延片边缘区域制备SBD的击穿电压,击穿电压最大值与最小值之差从4.34 V减小到2.88 V,满足客户使用要求。
关键词
薄层硅外延片
电阻率
过渡区
击穿电压
不均匀性
维护周期
Keywords
thin-layer Si epitaxial wafer
resistivity
transition zone
breakdown voltage
non-uniformity
maintenance period
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
衬底去边宽度对高阻厚层硅外延片参数的影响
米姣
张涵琪
薛宏伟
袁肇耿
吴会旺
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021
0
下载PDF
职称材料
2
维护周期对8英寸薄层Si外延片性能的影响
米姣
薛宏伟
袁肇耿
吴晓琳
张佳磊
张双琴
石巧曼
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020
1
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职称材料
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