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PS-VA模式中RM残留量对信赖性的影响(英文) 被引量:1
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作者 贵丽红 池宝林 +5 位作者 赵国 高红茹 温刚 李正强 舒克伦 梁瑞祥 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2017年第10期799-803,共5页
PSVA技术已经广泛应用于电视技术,但是残像问题仍然没有解决,为了改善PS-VA电视屏的IS表现,本文通过UV1和UV2制程影响RM来研究RM的残留量与IS表现的关系,结果表明RM残留量和IS有很强的相关性。众所周知,离子浓度是IS问题的关键因素,基... PSVA技术已经广泛应用于电视技术,但是残像问题仍然没有解决,为了改善PS-VA电视屏的IS表现,本文通过UV1和UV2制程影响RM来研究RM的残留量与IS表现的关系,结果表明RM残留量和IS有很强的相关性。众所周知,离子浓度是IS问题的关键因素,基于分析RM残留量和离子浓度的关系,我们开了一种改善PS-VA模式IS问题的新技术,另外,本文提出通过设计新的母体混晶材料,使PS-VA制程后液晶具有更低RM残留量来改善IS问题,同时通过大量的测试数据验证改善效果,其中离子浓度由Toyo6254测试,通过SEM和AFM来分析表面形态。 展开更多
关键词 PS-VA 残像 RM残留量 离子浓度 液晶
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