近紫外光LED芯片用红色荧光粉SrIn_2O_4:Eu^(3+),Sm^(3+)的制备及性能研究

利用高温固相法制备了Eu^(3+)、Sm^(3+)单掺杂及共掺杂的SrIn_2O_4荧光材料.通过XRD、激发光谱、发射光谱等对SrIn_2O_4∶Eu^(3+)、Sr In_2O_4∶Sm^(3+)、Sr In2O4∶Eu^(3+),Sm^(3+)进行表征。结果表明,Sr In2O4∶Eu^(3+)在近紫外光395 nm激发下能够有效的产生616 nm的红光发射.在Sr In2O4∶Sm^(3+)体系中发现,该系列样品适合于407 nm的紫光激发,发射峰位于607 nm.在Sr In_2O_4∶Eu3^(3+)Sm^(3+)体系中,通过光谱分析发现,基质中存在Eu^(3+)和Sm^(3+)激活剂之间的相互能量传递过程.该能量传递过程使Sr In2O4∶Eu^(3+),Sm^(3+)更适合于390~410 nm紫外芯片激发的LED用红色荧光粉。

Ba1-x(Na0.5Bi0.5)xZr0.1Ti0.9O3陶瓷的制备及性能研究

采用固相法制备Ba1-x(Na0.5Bi0.5)xZr0.1Ti0.9O3(x=0,0.05,0.1,0.15,0.2)陶瓷,并研究Bi、Na共同掺杂对Ba Zr0.1Ti0.9O3陶瓷结构、相组成、介电和铁电性能的影响。研究表明,Bi、Na共掺杂可以降低Ba Zr0.1Ti0.9O3陶瓷的烧结温度,并且在现有的掺杂水平下,所得陶瓷均为单一钙钛矿结构。陶瓷的相对介电常数在x=0.05时,由未掺杂的800增至最大值1700左右。陶瓷的介电损耗随Bi、Na掺杂量的增加,呈增加趋势。铁电性研究表明,随Bi、Na掺杂量的增加,存在漏电流增大的趋势,使得铁电性恶化,当含量超过0.1后呈现非铁电性。由以上可知,掺杂少量的Bi、Na,可以在一定程度上提高Ba Zr0.1Ti0.9O3陶瓷的介电性。

LTO/TaOx和LPO/TaOx复合薄膜的光电及Li^+传输性能

采用FTO/LTO(LPO)/TaOx/Al复合结构,利用磁控溅射分别制备TaOx,LTO(LixTiyOz),LPO(LixPOy)薄膜,研究了制备工艺对复合薄膜的微结构、离子传输特性的影响.重点探讨了不同退火温度LTO/TaOx,LPO/TaOx复合结构的光电性能和Li^+界面传输行为.结果表明,LTO/TaOx复合结构中,电荷转移电阻在离子传输中起着重要的作用,界面电导率在很大程度上有助于总电导率;LPO/TaOx复合结构随着退火温度的升高,电解质薄膜之间元素扩散现象加剧,总的离子电导率逐渐减小.

不同锌源对ZnGa_2O_4发光性能的影响

采用不同锌源(氧化锌及碱式碳酸锌)利用高温固相法在相同烧结温度下制备了ZnGa_2O_4。通过XRD、激发光谱、发射光谱、余辉发射光谱、余辉衰减曲线等实验手段对不同锌源生成的ZnGa_2O_4样品进行表征。实验结果表明,不同锌源的ZnGa_2O_4荧光性质不同。以氧化锌为锌源制备的ZnGa_2O_4,其发射峰由3个峰组成,峰值分别位于362,504和700 nm。而以碱式碳酸锌为锌源制备的ZnGa_2O_4其发射峰由2个峰组成,峰值分别位于504,700 nm。其发射峰不同是由于不同锌源的挥发性不同,氧化锌挥发性大于碱式碳酸锌,因此,由氧化锌为锌源制备的ZnGa_2O_4中含有大量的Zn空位及氧空位。而碱式碳酸锌制备的ZnGa_2O_4空位相对少。当Ga3+占据Zn空位形成八面体扭曲程度不同,d轨道劈裂不同,因而造成ZnGa_2O_4荧光性质不同。不同锌源制备的ZnGa_2O_4余辉发射光谱相同,但余辉亮度及衰减时间却存在很大差异。其原因也是由于不同锌源挥发性不同,造成陷阱深度及浓度不同,从而导致余辉性能差别较大。

(1-x)LiNbO3-xBiAlO3(x=0～0.7)陶瓷的制备及性能

采用固相合成法制备了(1–x)LiNbO3-x BiAlO_3(x=0,0.01,0.03,0.05,0.07)无铅压电陶瓷。研究了BiAlO_3对Li NbO_3陶瓷的物相结构、显微组织、介电及压电性能的影响。研究表明:当掺杂量为0.01时,所得陶瓷为纯相钙钛矿结构,当掺杂量超过0.03时出现杂相。所得陶瓷的相对密度均在96%以上,具有较好的致密度。随BiAlO_3含量的增加,晶粒尺寸略有增大。BiAlO_3的加入使复介电常数的共振峰有向低频方向移动的趋势。压电及介电性能的变化规律与晶粒尺寸变化一致,即随BiAlO_3含量的增加,d33和复介电常数的实部ε′均在x=0.07时出现最大值。因此,适量添加BiAlO_3可以增加LiNbO_3陶瓷的介电性能与压电性能。

β-Ga2O3:B3+蓝色长余辉性能的研究(英文)

利用高温固相法制备了蓝色长余辉材料β-Ga_2O_3:B^(3+)。β-Ga_2O_3:B^(3+)在260 nm紫外光辐照5 min后,撤去紫外光,在380~600 nm光谱范围内呈现宽带的蓝色余辉,余辉时间超过0.5 h。通过激发光谱,发射光谱,余辉衰减曲线,热释光谱等实验手段对样品进行表征。结果表明,B^(3+)的掺入能够提高β-Ga_2O_3的发光性质。β-Ga_2O_3:80%B^(3+)的热释光谱表明B^(3+)的掺入能够增加陷阱数目及陷阱深度。