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基于物理的GaAs MESFET模型参数计算
被引量:
1
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作者
郑滨
《半导体情报》
2000年第1期27-29,共3页
根据材料性能和物理结构参数近似计算 Ga As MESF ET等效电路模型参数 ,并给出等效电路参数随物理参数的变化曲线。
关键词
MESFET
砷化镓
模型参数计算
下载PDF
职称材料
题名
基于物理的GaAs MESFET模型参数计算
被引量:
1
1
作者
郑滨
机构
河北科技大学物理实验室
出处
《半导体情报》
2000年第1期27-29,共3页
文摘
根据材料性能和物理结构参数近似计算 Ga As MESF ET等效电路模型参数 ,并给出等效电路参数随物理参数的变化曲线。
关键词
MESFET
砷化镓
模型参数计算
Keywords
MESFET Physical parameters Model
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
基于物理的GaAs MESFET模型参数计算
郑滨
《半导体情报》
2000
1
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职称材料
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