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基于物理的GaAs MESFET模型参数计算 被引量:1
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作者 郑滨 《半导体情报》 2000年第1期27-29,共3页
根据材料性能和物理结构参数近似计算 Ga As MESF ET等效电路模型参数 ,并给出等效电路参数随物理参数的变化曲线。
关键词 MESFET 砷化镓 模型参数计算
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