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聚合硅酸氯化铝铁的制备及其絮凝性能 被引量:7
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作者 张孟存 宫惠峰 何红升 《化工环保》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期371-373,共3页
利用盐酸酸洗废液制备聚合硅酸氯化铝铁(PSAFC),并用PSAFC处理造纸脱墨废水,考察了各种因素对絮凝效果的影响。实验结果表明:在废水pH为6、PSAFC加入量为240mg/L、搅拌转速为150r/min、搅拌时间为2min,静置时间为25min的条件下,COD、浊... 利用盐酸酸洗废液制备聚合硅酸氯化铝铁(PSAFC),并用PSAFC处理造纸脱墨废水,考察了各种因素对絮凝效果的影响。实验结果表明:在废水pH为6、PSAFC加入量为240mg/L、搅拌转速为150r/min、搅拌时间为2min,静置时间为25min的条件下,COD、浊度、色度的去除率分别为87.2%,99.2%,94.5%;PSAFC的絮凝效果明显好于市售的聚合氯化铝和聚合氯化铁。 展开更多
关键词 酸洗废液 聚合硅酸氯化铝铁 制备 絮凝
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MEMS器件用低表面应力SOI材料的制备及应用
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作者 何红升 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 2009年第3期72-74,共3页
利用改进的BGSOI工艺成功制备低表面应力的厚膜SOI晶片,并表征晶片的显微结构、界面和表面应力。研究结果显示:晶片的各层区域分明,界面平整,上层硅厚度为76.5μm,SiO2埋层厚度为0.865μm;晶片键合良好,有效键合面积大于95%,键合强度大... 利用改进的BGSOI工艺成功制备低表面应力的厚膜SOI晶片,并表征晶片的显微结构、界面和表面应力。研究结果显示:晶片的各层区域分明,界面平整,上层硅厚度为76.5μm,SiO2埋层厚度为0.865μm;晶片键合良好,有效键合面积大于95%,键合强度大于13.54 J/m2;表面应力小于12.6 MPa,已成功制作出微加速度计。 展开更多
关键词 表面应力 SOI晶片 厚膜 界面
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