第一性原理对GanNn(n=2～5)小团簇的结构及电子性质的研究

利用密度泛函理论的B3LYP方法在6-31G^＊的水平上对GanNn（n=2～5）团簇的结构进行优化，得到了GanNn（n=2～5）团簇的最稳定结构．并对最稳定结构的电子性质、成键特性和极化率进行分析．结果表明，团簇的最稳定结构为平面结构，且存在着N2和N3单元，说明N—N键在团簇的形成过程中起着决定性的作用；能隙间隔为1．776～3．563eV，表明GanNn（n=2～5）团簇已具有了半导体的性质．

第一性原理对NaBe_n(n=1—12)团簇最低能量结构及其电子性质的研究

从第一性原理出发对NaBen(n=1—12)团簇的最低能量结构和电子性质进行了研究.结果表明,掺杂原子(Na)导致主团簇Ben的几何结构发生显著变化;出现了共价键和金属键的成键特性;Na-Be最近邻间距和能隙随着团簇尺寸的增加出现了振荡;n=4是团簇的幻数.