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Φ105mm区熔硅单晶的生长工艺研究 被引量:3
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作者 郭立洲 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期513-516,共4页
介绍了FZ硅单晶的熔区悬浮原理 ,说明了生产Φ10 5mmFZ硅单晶所用多晶原材料的技术标准 ,通过对不同形式的加热线圈进行分析 ,指出了较理想的加热线圈 ,讨论了反射器和改进后的晶体夹持装置的具体应用。对Φ10
关键词 FZ硅单晶 加热线圈 夹持装置 生长工艺
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热处理对辐照区熔硅单晶的重要作用
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作者 郭立洲 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第z2期250-251,共2页
阐述了热处理对辐照区熔硅单晶的影响。
关键词 稀土 区熔 硅单晶 热处理
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