高热惊厥患儿额颞叶区脑电图特点与癫痫的发生及神经发育不良的关系

目的:探讨高热惊厥(FS)患儿额颞叶区脑电图特点与癫痫的发生及神经发育不良的关系。方法:将我院2017年1月-2019年12月间收治的100例符合入组标准的FS患儿分为EEG正常组和EEG异常组。所有患者均在入组后采用脑电图仪进行EEG检查;随访1年,详细记录癫痫情况,参照《中国修订韦氏儿童智力量表手册》认知功能评定标准对患儿的神经发育功能进行评估。结果:EEG正常组和EEG异常组两组患儿性别、热性惊厥持续时间、热性惊厥再发次数、热性惊厥再发、惊厥类型、热性惊厥家族病史、发病年龄、癫痫家族病史例等临床资料无明显差异(P>0.05);癫痫组FS患儿EEG异常发生率明显高于无癫痫组,差异有统计学意义(P<0.05);神经发育不良组FS患儿EEG异常发生率明显高于神经发育正常组,差异有统计学意义(P<0.05);EEG异常与FS患儿癫痫和神经发育不良均存显著正相关关系(P<0.05);EEG异常是影响FS患儿癫痫和神经发育不良发生的独立性威胁因素(P<0.05)。结论:高热惊厥患儿额颞叶区脑电图异常与癫痫和神经发育不良均存显著正相关关系,且是影响FS患儿癫痫和神经发育不良发生的独立性威胁因素。