C_(60)作为石英衬底过渡层气相生长金刚石薄膜

本文采用微波等离子体化学气相沉积方法（MWPCVD），以C60膜作为过渡层，在石英（StO2）衬底表面，首次在等离子体预处理中无衬底负偏压条件下生长出金刚石晶粒。通过扫描电镜观察到金刚石晶粒呈菜花关，生长表面为（100）晶面。

仿古汝瓷天青釉烧制的穆斯堡尔谱研究

在古陶器研究中应用穆斯堡尔效应已获得不少有价值的结果。但是,在古瓷器中的应用极少,汝窑为宋代五大名窑(汝、官、哥、定、钧)之一,艺术价值很高,现存文物极少。在各种汝瓷釉色中天青釉尤为珍贵。我们利用穆斯堡尔谱详细研究仿古汝瓷天青釉的穆斯堡尔参数随烧制条件变化的规律,这既有益于仿古汝瓷的研制,又有益于古汝瓷的研究。

金刚石在C_(60)薄膜表面的气相成核

金刚石薄膜是一种性能优异的功能薄膜,比颗粒状金刚石材料有着更为广泛的应用领域,尤其是在光学和微电子学方面,因此近年来受到极大的关注。然而,在气相沉积金刚石薄膜中,金刚石在光滑非金刚石衬底表面难以成核。为了提高金刚石在光滑衬底上的成核密度,一般需要破坏衬底表面,使之布满宏观缺陷,如划痕、蚀坑等以提供成核点,或在衬底表面预沉积有助于金刚石成核的过渡层如DLC,β-SiC等。因此,寻找增强金刚石在光滑非金刚石衬底上成核的有效方法一直是近年来气相沉积金刚石研究的重要内容。最近,Meilunas等人发现Fuller烯中的C60,C70作为过渡层可以显著提高金刚石在光滑Si衬底表面的成核密度。由于Fuller烯是一种新型的光学和半导体材料,因此,研究Fuller烯表面气相生长金刚石薄膜不仅为增强光滑衬底表面上的成核提供了一种新方法,更为重要的是有可能为金刚石薄膜和Fuller烯提供新的应用领域。

“MOOSE”模型中的't Hooft反常相消条件

本文讨论了H.Georgi提出的“MOOSE”复合理论中的一个问题,证明了在R_(i/j)≈0区域的禁闭相理论分析中’t Hooft反常相消条件的必要性。

Weitzenbck空间中的高维Kaluza-Klein理论

本文证明Weitzenbock空间中高维引力作用量可约化为4维空-时中的引力作用量与规范场作用量之和.由此作出结论:在Weitzenbock空间中也存在高维Kaluza-Klein理论.