溅射温度对Ga_(2)O_(3)薄膜物理特性的影响

采用射频磁控溅射法在蓝宝石(Al_(2)O_(3))衬底上制备Ga_(2)O_(3)薄膜,研究溅射温度对Ga_(2)O_(3)薄膜晶体结构、表面形貌、光学特性的影响。X射线衍射结果显示,温度过低不利于薄膜晶化,随着温度的升高,结晶质量变好;通过计算薄膜晶体的粒径、晶面间距、非均匀应变和织构系数,发现四组样品均沿(201)晶面择优生长,450℃时所制备的Ga_(2)O_(3)薄膜结晶质量最好。扫描电子显微镜(SEM)结果表明,随着温度的升高,Ga_(2)O_(3)薄膜粒径逐渐增大,结晶质量变好。光学吸收谱图表明,随着温度的升高,Ga_(2)O_(3)薄膜禁带宽度先增大后减小,平均值为4.88 eV。透射谱图表明,Ga_(2)O_(3)薄膜在可见光波段的平均透过率约为85%,适合作为高信噪比紫外探测器的吸收层。该项研究为Ga_(2)O_(3)在紫外探测及高功率电子器件领域的应用提供了参考。

氮气体积分数对ITO上制备InN薄膜物理特性的影响

采用磁控溅射法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃衬底上制备InN薄膜,研究了氮气体积分数对InN薄膜晶体结构、表面形貌和光电特性的影响。X射线衍射测试结果表明,所制备的InN薄膜均为六方纤锌矿结构,且随着氮气体积分数的增加,InN薄膜由沿(101)面择优生长逐渐变为沿(002)面择优生长。原子力显微镜结果表明,随着氮气体积分数的增加,InN薄膜表面粗糙度逐渐减小。此外,通过光致发光谱和光学吸收谱测得氮气体积分数为100%时制备的InN薄膜禁带宽度分别为1.45 eV和1.47 eV。霍尔测试结果表明,InN薄膜均呈现n型导电特性,且随着氮气体积分数的增加,其迁移率由4.57 cm2·V-1·s-1增加至12.2 cm2·V-1·s-1,载流子浓度由8.498×1021 cm-3减小至2.041×1021 cm-3,电阻率由16.08×10-4Ω·cm减小至2.118×10-4Ω·cm。该研究为InN在高效太阳电池及发光器件领域的应用提供有益的参考。

退火温度对Li掺杂ZnO缺陷及光电性能的影响

采用固相反应法制备同一掺杂比例在不同退火温度下的Li掺杂ZnO。利用XRD、SEM、UV光谱测量,探究了不同退火温度对于Li掺杂ZnO缺陷及光电性能的影响。结果表明:退火温度为600℃时,Li掺杂对ZnO缺陷及光电性能调控效果较为理想。

氮气流量对磁控溅射InN薄膜特性的影响

采用射频磁控溅射法在蓝宝石衬底上制备了InN薄膜.研究了N2流量对InN薄膜的晶体结构、表面形貌、光学和电学特性的影响.X射线衍射(XRD)测试结果显示,InN呈六方纤锌矿结构,具有明显(002)择优取向;SEM与AFM图像显示InN薄膜均匀致密,低N2流量下随流量增加,表面逐渐趋于光滑平整,过高的N2流量使薄膜生长方式发生改变;通过检测薄膜吸收特性,利用线性外推法计算禁带宽度为1.81~1.96 e V;电学测试结果表明,制备的薄膜样品均呈现n型导电特性,且迁移率较低,最大为12.2cm^(2)/v·s;载流子浓度较高,保持在10^(21)cm^(-3)数量级;电阻率较小,范围是0.202~0.33 mΩ·cm.

扩展Su-Schrieffer-Heeger模型在周期性边界条件下的相变

文章计算了含有三种跃迁项(最近邻(NN)、次近邻(NNN)、次次近邻(NNNN)跃迁项)的扩展Su-Schrieffer-Heeger(SSH)模型(模型ⅰ)的热力学特性.对仅含有二种跃迁项(NN、NNN跃迁项)的扩展SSH模型(模型ⅱ)、仅含有一种跃迁项(NN跃迁项)的SSH模型(模型ⅲ)也作了类似的计算.在低温下,每个模型都有相变且跃迁项的存在会降低相变温度.由于NNN跃迁项的存在,在极低温条件下,关于热容量与温度比(HCOTR)随温度变化的单调性,模型i与其它两个模型存在差异.在低温下,模型ⅰ的HCOTR的单调性,会受NN或NNN或NNNN跃迁项的影响并且NN或NNN跃迁项会影响其相变.

p-NiO/MQWs/n-GaN异质结器件制备及其特性的研究

采用射频磁控溅射设备以NiO为空穴注入层在MQWs/n-GaN上制备了p-NiO/MQWs/n-GaN异质结发光器件。通过X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外分光光度计(UV-2700)等测试系统对制备的NiO层结构、形貌及光学特性进行了测试,结果表明NiO薄膜具有较好的结晶质量。对p-NiO/MQWs/n-GaN异质结器件进行了电流-电压(I-V)特性和电致发光(EL)特性测试。I-V特性测试结果显示,器件具有明显的整流特性,开启电压约为2.9 V。EL特性测试结果显示,该器件实现了室温下的蓝紫光发射,结合GaN的光致发光(PL)谱和器件的能带结构图,对器件的电致发光机理进行了深入研究。