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5G毫米波通信用低插损高隔离GaAs PHEMT单刀双掷开关
被引量:
2
1
作者
袁丹丹
张志浩
+2 位作者
张艺
殷锐昊
章国豪
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第1期55-59,共5页
基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,实现了一款用于5G毫米波通信的低插损高隔离单刀双掷(SPDT)开关芯片。为了降低插损,每个开关支路通过四分之一波长阻抗变换器连接到天线端,并通过优化传输线和器件总栅宽实现了良好...
基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,实现了一款用于5G毫米波通信的低插损高隔离单刀双掷(SPDT)开关芯片。为了降低插损,每个开关支路通过四分之一波长阻抗变换器连接到天线端,并通过优化传输线和器件总栅宽实现了良好的端口匹配;为了提高隔离度,采用了三并联多节枝的分布式架构形成高的输入阻抗状态,实现信号的全反射。芯片面积为2.1 mm×1.1 mm。在片测试结果显示,在24.25~29.5 GHz的5G毫米波频段内该SPDT开关实现了小于1.1 dB的极低插损和大于32 dB的高隔离度,1 dB压缩点输入功率大于26 dBm。
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关键词
5G毫米波
单刀双掷(SPDT)开关
GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)
低插损
高隔离
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职称材料
题名
5G毫米波通信用低插损高隔离GaAs PHEMT单刀双掷开关
被引量:
2
1
作者
袁丹丹
张志浩
张艺
殷锐昊
章国豪
机构
广
东工业大学信息工程学院
河源广工大协调创新研究院
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第1期55-59,共5页
基金
国家重点研发计划资助项目(2018YFB1802100)
广东省“珠江人才计划”本土创新科研团队资助项目(2017BT01X168)。
文摘
基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,实现了一款用于5G毫米波通信的低插损高隔离单刀双掷(SPDT)开关芯片。为了降低插损,每个开关支路通过四分之一波长阻抗变换器连接到天线端,并通过优化传输线和器件总栅宽实现了良好的端口匹配;为了提高隔离度,采用了三并联多节枝的分布式架构形成高的输入阻抗状态,实现信号的全反射。芯片面积为2.1 mm×1.1 mm。在片测试结果显示,在24.25~29.5 GHz的5G毫米波频段内该SPDT开关实现了小于1.1 dB的极低插损和大于32 dB的高隔离度,1 dB压缩点输入功率大于26 dBm。
关键词
5G毫米波
单刀双掷(SPDT)开关
GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)
低插损
高隔离
Keywords
5G millimeter-wave
single-pole double-throw(SPDT)switch
GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor(PHEMT)
low insertion loss
high isolation
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
5G毫米波通信用低插损高隔离GaAs PHEMT单刀双掷开关
袁丹丹
张志浩
张艺
殷锐昊
章国豪
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022
2
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职称材料
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