HJT太阳电池技术的发展现状及未来展望

中国的硅基异质结(HJT)太阳电池技术在近5年有了快速发展,逐步进入产业化阶段,但在其发展过程中遇到了一些技术瓶颈。对HJT太阳电池的结构及能带结构进行简述,从衬底和表面制绒技术、a-Si:H薄膜技术、TCO薄膜技术、金属化电极技术等方面对HJT太阳电池关键技术的研究进展进行了分析,并从制造成本、TCO薄膜材料及叠层太阳电池技术等方面对HJT太阳电池未来的技术研究方向进行了展望。虽然HJT太阳电池具有工艺流程简单、光电转换效率高、功率衰减低、温度系数低、工作温度低等优势;但其制造成本较高,导致其市场份额上升缓慢,而采用铜电极、无铟或低含铟量TCO薄膜技术是降低HJT太阳电池制造成本的有效方法,一旦突破成本瓶颈,HJT太阳电池未来的应用空间将更加广阔。

特种边框光伏组件的设计开发及性能研究

在光伏行业整体环境背景下,针对现有硅片尺寸逐渐大化,短短几年硅片尺寸由M2、G1、M6快速过渡到M10、G12,带来的组件尺寸变大,在铝料价格持续上涨的现在,边框成本也大幅上升,特种钢边框的出现,能很好的降低光伏组件单瓦成本。通过冷弯成型工艺对Q365碳素钢材加工成型,改变常规的闭口结构,设计出一款“己”字型结构边框,经过应力模拟,对折弯筋部分的尺寸进行调整,开发出新型边框结构。同等安装载荷条件下,特种边框组件形变量小于铝边框组件形变量。同时在组件耐候性问题上,特种边框采用锌铝镁耐腐蚀涂层,该涂层具有自愈性,腐蚀产物能够有效抑制锈蚀的进一步扩展。涂层经200循环快速温变实验无脱落剥离,产品经受5500h盐雾腐蚀实验,满足光伏组件户外应用要求。

n型TOPCon光伏电池标准化研究

为推动n型TOPCon光伏电池标准化,基于n型电池技术发展现状,对n型TOPCon电池标准指标展开理论分析,并开展弯曲度与电极抗拉强度、可靠性、初始光致衰减等标准指标的试验验证,最后提出n型TOPCon电池标准化的建议。

发射极掺杂工艺对产业化IBC太阳电池性能的影响

主要对n型IBC太阳电池结构的发射极硼掺杂工艺进行优化设计,并通过ENDA2模拟软件对实验结果进行验证分析,通过复合损失分析,研究不同发射极硼扩工艺对产业化IBC太阳电池电性能的影响。实验结果表明,采用较高推进温度的硼扩散工艺,获得发射极方阻98Ω/sq,该发射极具有最低的表面浓度1.68×10^(19) cm^(-3)和最深结深0.88μm,使得电池具有最低的复合损失(J_(0,pass)=24 fA/cm^(2))。在25℃下,AM 1.5的标准I-V测试条件下,采用最优硼扩散条件制作的IBC太阳电池,其最高电池转化效率为23.4%(V_(oc)=688.4 mV,J_(sc)=41.99 mA/cm^(2),FF=80.9%)。进一步地,通过数值模拟的方法对该电池各部分功率损失进行分析,可为下一步电池效率的提升提供优化方向。