不同Cu含量的TiNiCu形状记忆合金薄膜的组织与相变

利用TEM、XRD、DSC测试方法,首次系统地研究了直流磁控溅射制备的3种不同Cu含量的TiNiCu形状记忆合金薄膜的退火组织和加热与冷却过程中发生的相变。结果表明:退火后的薄膜获得了形状记忆性能;随着薄膜中Cu含量的增加,薄膜的退火组织出现差异,相变滞后明显变小,相变温区变窄;使获得快速响应的形状记忆合金薄膜成为可能。

直流磁控溅射TiNiCu薄膜靶材制备方法研究

通过对直流磁控溅射TiNiCu薄膜的靶材制备方法的研究发现：镶嵌与熔炼两种方法均成功地制备了所设计成分的薄膜,而粉末冶金与在TiNi靶上放置纯Cu片的制备靶材方法虽未能制备出质量良好的薄膜,但本文对其制备靶材方法做了初步的探究,对出现的问题提出了针对性的建议。