G11大尺寸显示面板线超长高性能钼靶材轧制工艺改进研究

G11钼靶材的长度达到3430mm,属于超长靶材,之前国际上未有成熟工艺和技术可借鉴,具有较高的生产难度。洛阳高新四丰电子材料有限公司在已有技术基础上,对生产设备及技术工艺的配套改进和提升,成功研制G11超长高性能钼溅射靶材并实现产业化,填补国内外技术空白,满足了我国当前超高世代产线建设规模日益增长的市场需求。本文重点介绍G11钼靶的轧制工艺改进试验及性能研究取得的成果。

锻造工艺对粉末冶金钼棒组织和性能的影响

采用冷等静压、烧结方式得到85mm的钼棒坯,之后采用不同锻造工艺将钼棒锻造至32mm,并对其组织和力学性能进行了测试对比。结果表明,锻造过程中回火温度、时间及回火次数以及锻造道次变形量等对锻造后钼棒组织和性能均有影响。采用的处理工艺如下:锻造前在1 200℃下保温120min,之后进行6模次锻造,每模次直径变形量为锻造前的10%～20%,整个锻造过程中每两模次进行中间回火,回火工艺为1 100℃×15min,最终得到抗拉强度达到667MPa,伸长率为26%,且组织均匀细小的钼棒。

G6 AMOLED用宽幅钼平面溅射靶材的研制

本文进行了宽幅一体钼靶材的烧结和轧制工艺试验,探讨了开坯轧制温度对靶材组织及性能的影响。结果表明:轧制温度过低造成靶材组织不均匀,内部缺陷较多;轧制温度过高容易引起靶材晶粒粗大。选择适宜的轧制温度,采取多火多道次工艺轧制,并在适当温度退火后,能够得到晶粒尺寸小于100μm的细小均匀组织。