期刊文献+
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
基于硅基微环的光双二进制 被引量:1
1
作者 陈伟伟 汪鹏君 +2 位作者 王宏建 周海权 杨建义 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期24-27,共4页
基于硅基微环光调制器,利用Optisystem协同Matlab仿真,实现了10Gbit/s光双二进制信号的产生,并分析了光源的线宽和中心波长、光纤传输距离以及高斯窄带滤波器的带宽对10Gbit/s光双二进制系统性能的影响.仿真结果表明:该光双二进制系统... 基于硅基微环光调制器,利用Optisystem协同Matlab仿真,实现了10Gbit/s光双二进制信号的产生,并分析了光源的线宽和中心波长、光纤传输距离以及高斯窄带滤波器的带宽对10Gbit/s光双二进制系统性能的影响.仿真结果表明:该光双二进制系统对光源的线宽和中心波长敏感;在误码率为10-9量级时,实现无误码传输的最大距离为60km,且高斯窄带滤波器的最佳带宽为8GHz. 展开更多
关键词 硅基光子学 载流子色散 微环谐振腔 高斯滤波器 光双二进制
下载PDF
Si基光子器件的p-i-n电学结构模型及分析 被引量:4
2
作者 陈伟伟 赵勇 +3 位作者 杨承霖 钱伟 杨铁权 杨建义 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期8-12,共5页
为了设计研制基于载流子色散效应的Si基光子器件,本文针对Si基光子器件的电学结构,利用Silvaco的器件仿真工具Atlas,并根据载流子色散理论,结合有限差分(FD)法,建立了基于pi-n结的电学结构模型。同时,为了提高模型的实际应用水平,采用0... 为了设计研制基于载流子色散效应的Si基光子器件,本文针对Si基光子器件的电学结构,利用Silvaco的器件仿真工具Atlas,并根据载流子色散理论,结合有限差分(FD)法,建立了基于pi-n结的电学结构模型。同时,为了提高模型的实际应用水平,采用0.18μm CMOS工艺线制作Si基马赫-曾德尔调制器(MZM),并进行相应的实验验证与分析。本文工作将为从物理层面上优化Si基光子器件设计提供帮助。 展开更多
关键词 Si基光子学 马赫-曾德尔调制器(MZM) 载流子色散 p-i-n结 有限差分(FD)法
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部