期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
基于载流子注入的SOI4×4MMI-MZ光开关阵列
被引量:
8
1
作者
杨健
陈伟伟
+2 位作者
王皖君
王明华
杨建义
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期16-20,共5页
采用0.8μm CMOS工艺线制作了一种基于载流子注入的SOI 4×4马赫-曾德(MZ)光开关阵列,其由4个2×2基于多模干涉(MMI)耦合器的MZ(MMI-MZ)光开关单元组成。通过对调制臂施加电压,利用Si的载流子色散效应引起调制区的折射率变化实...
采用0.8μm CMOS工艺线制作了一种基于载流子注入的SOI 4×4马赫-曾德(MZ)光开关阵列,其由4个2×2基于多模干涉(MMI)耦合器的MZ(MMI-MZ)光开关单元组成。通过对调制臂施加电压,利用Si的载流子色散效应引起调制区的折射率变化实现开关功能。测试结果表明,当输入光为1 510~1 580nm的宽带光源时,光开关阵列的不同路径间的串扰低于-8.02dB,支持的公共带宽为35nm(1 530~1 565nm),开关阵列的上升和下降时间分别为17.4ns和21ns。
展开更多
关键词
光开关阵列
马赫-曾德(MZ)
多模干涉(MMI)耦合器
SOI
载流子色散
原文传递
题名
基于载流子注入的SOI4×4MMI-MZ光开关阵列
被引量:
8
1
作者
杨健
陈伟伟
王皖君
王明华
杨建义
机构
浙江大学信息与电子工程学系唐仲英传感材料与应用研究中心
贵州
大学
理学院
宁波
大学
信息
学院
出处
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期16-20,共5页
基金
国家自然科学基金(60977043)
国家“863”计划(2012AA012203)资助项目
文摘
采用0.8μm CMOS工艺线制作了一种基于载流子注入的SOI 4×4马赫-曾德(MZ)光开关阵列,其由4个2×2基于多模干涉(MMI)耦合器的MZ(MMI-MZ)光开关单元组成。通过对调制臂施加电压,利用Si的载流子色散效应引起调制区的折射率变化实现开关功能。测试结果表明,当输入光为1 510~1 580nm的宽带光源时,光开关阵列的不同路径间的串扰低于-8.02dB,支持的公共带宽为35nm(1 530~1 565nm),开关阵列的上升和下降时间分别为17.4ns和21ns。
关键词
光开关阵列
马赫-曾德(MZ)
多模干涉(MMI)耦合器
SOI
载流子色散
Keywords
optical switch matrix
Mach-Zehnder (MZ)
multimode interference (MMI) coupler
silicon-on-insulator (SOD
carrier dispersion
分类号
TN256 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于载流子注入的SOI4×4MMI-MZ光开关阵列
杨健
陈伟伟
王皖君
王明华
杨建义
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
8
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部