等平面化自对准硅雪崩击穿电子发射阵列器件的设计和研究

本文报道了等平面化自对准硅雪崩击穿电子发射阵列器件的结构设计和工艺过程。该器件的电子发射区域边缘的工艺台阶仅为10nm,其自对准的浅砷注入电流通道区宽度仅为3μm。与已报道的其它结构硅雪崩击穿电子发射器件相比较,该器件的电流电压特性曲线有更宽的线性区域和更低的通导电阻。本文也对其电子发射特性作了部分介绍。

硅真空电子发射阵列器件和硅真空三极管的设计和研究

真空微电子器件,是一类基于真空中电子输运机理而应用固态微电子器件中的微细加工技术制造的新型器件。它既具有电子在真空中高迁移率的优点又具有固态微电子器件的几何尺寸小、份量轻、功耗低等优点;还具有比固态微电子器件更宽的工作温度范围和更强的抗辐射能力。它是90年代电子学科中兴起的一个新的研究领域。