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纳米集成电路的静电放电防护
被引量:
4
1
作者
李明亮
董树荣
+6 位作者
韩雁
杜晓阳
霍明旭
郭维
郭清
黄大海
宋波
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期87-93,97,共8页
综述了纳米集成电路片上(On-Chip)静电放电防护(ESD)的研究现状;结合自身流片数据,阐述其ESD防护机理和设计要点。从器件ESD防护机理入手,逐步深入分析阐述了纳米集成电路的新特征、纳米器件的失效机制以及基于体硅CMOS工艺和SOI工艺的...
综述了纳米集成电路片上(On-Chip)静电放电防护(ESD)的研究现状;结合自身流片数据,阐述其ESD防护机理和设计要点。从器件ESD防护机理入手,逐步深入分析阐述了纳米集成电路的新特征、纳米器件的失效机制以及基于体硅CMOS工艺和SOI工艺的基本ESD防护器件。在此基础上,对纳米集成电路ESD主要热击穿失效的热量产生机制、热耗散问题,以及边界热电阻对ESD防护带来的影响进行了分析,提出了利用纵向散热路径和工艺整合方案来提高纳米集成电路中ESD防护器件鲁棒性的有效措施。
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关键词
纳米工艺
集成电路
静电防护
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职称材料
题名
纳米集成电路的静电放电防护
被引量:
4
1
作者
李明亮
董树荣
韩雁
杜晓阳
霍明旭
郭维
郭清
黄大海
宋波
机构
浙江大学信息学院微电子所esd实验室
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期87-93,97,共8页
基金
浙江省自然科学基金资助项目(Y107055
Y1080546)
文摘
综述了纳米集成电路片上(On-Chip)静电放电防护(ESD)的研究现状;结合自身流片数据,阐述其ESD防护机理和设计要点。从器件ESD防护机理入手,逐步深入分析阐述了纳米集成电路的新特征、纳米器件的失效机制以及基于体硅CMOS工艺和SOI工艺的基本ESD防护器件。在此基础上,对纳米集成电路ESD主要热击穿失效的热量产生机制、热耗散问题,以及边界热电阻对ESD防护带来的影响进行了分析,提出了利用纵向散热路径和工艺整合方案来提高纳米集成电路中ESD防护器件鲁棒性的有效措施。
关键词
纳米工艺
集成电路
静电防护
Keywords
Nanometer technology
Integrated circuits
Electrostatic discharge protection (ESD)
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
纳米集成电路的静电放电防护
李明亮
董树荣
韩雁
杜晓阳
霍明旭
郭维
郭清
黄大海
宋波
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2010
4
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