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深亚微米工艺中场氧器件静电防护能力的研究
1
作者
朱科翰
杜晓阳
+4 位作者
于宗光
韩雁
崔强
霍明旭
董树荣
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期106-111,共6页
研究了FOD在输入、输出和电源箝位部分ESD的工作特点,在0.18μm5V EEPROM CMOS工艺下流片、测试并分析了针对输入、输出和电源箝位的三种主流的ESD保护FOD器件,通过传输线脉冲测试仪的测量,重点分析了特征尺寸对器件ESD特性的影响及其...
研究了FOD在输入、输出和电源箝位部分ESD的工作特点,在0.18μm5V EEPROM CMOS工艺下流片、测试并分析了针对输入、输出和电源箝位的三种主流的ESD保护FOD器件,通过传输线脉冲测试仪的测量,重点分析了特征尺寸对器件ESD特性的影响及其设计方法。结果表明:影响FOD的ESD性能的主要因素是沟道长度、漏极长度和漏极接触孔到有源区的距离;增加沟道长,可适当提高FOD的ESD开启电压,但是会降低ESD防护性能;增加FOD的漏极长度和漏极接触孔到有源区的距离,可以提高FOD的ESD防护性能。提出了一种新型的浮体多晶硅岛屿型FOD结构,该结构不但结构简单,而且具有良好的ESD防护性能。
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关键词
场氧器件
静电防护
深亚微米
传输线脉冲
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职称材料
题名
深亚微米工艺中场氧器件静电防护能力的研究
1
作者
朱科翰
杜晓阳
于宗光
韩雁
崔强
霍明旭
董树荣
机构
江南
大学
信
息学院
浙江大学信电系微电子所esd实验室
中国
电子
科技集团第
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期106-111,共6页
基金
浙江省自然科学基金资助(Y107055)
文摘
研究了FOD在输入、输出和电源箝位部分ESD的工作特点,在0.18μm5V EEPROM CMOS工艺下流片、测试并分析了针对输入、输出和电源箝位的三种主流的ESD保护FOD器件,通过传输线脉冲测试仪的测量,重点分析了特征尺寸对器件ESD特性的影响及其设计方法。结果表明:影响FOD的ESD性能的主要因素是沟道长度、漏极长度和漏极接触孔到有源区的距离;增加沟道长,可适当提高FOD的ESD开启电压,但是会降低ESD防护性能;增加FOD的漏极长度和漏极接触孔到有源区的距离,可以提高FOD的ESD防护性能。提出了一种新型的浮体多晶硅岛屿型FOD结构,该结构不但结构简单,而且具有良好的ESD防护性能。
关键词
场氧器件
静电防护
深亚微米
传输线脉冲
Keywords
FOD
ESD protection
deep sub-micron
TLP
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
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被引量
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1
深亚微米工艺中场氧器件静电防护能力的研究
朱科翰
杜晓阳
于宗光
韩雁
崔强
霍明旭
董树荣
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
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