半导体硅材料用的超高纯硅烷

本文用一种新开发的A型离子交换沸石来提纯甲硅烷,该沸石能吸附硅烷中的磷化氢。硅烷中磷化氢的含量通过硅烷分解所得硅的电阻率来确定。对硅的两种样品,即在硅衬底上的外延薄膜和单晶硅棒作了分析。在室温下,p型硅棒的电阻率在1×10~4～8×10~4Ω-cm之间,它与提纯的条件有关。一个用这种硅制造的表面势叠型的固体检测器,以X-射线和从^(207)Bi蜕变的电子流进行验证,表现出了非常好的特性。借助于气相色谱技术,用一模拟柱对吸附柱的特性进行研究。由此得出的最佳条件作为吸附柱的操作条件。

含氮CZ硅力学行为研究

用抗弯强度方法测定不同含氮量的原生和经550℃,750℃及900℃不等时热处理后直拉硅(NCZ-Si)的力学性能变化,结合红外光谱分析热处理过程氧、氮含量及形态的改变,认为在含氮直拉硅中,氮是以聚集在位错周围的氮氧硅络合物及氮氧硅沉淀初期微粒等多种形式钉扎位错的。