填充银纳米线各向同性导电胶的性能

以Ti（OC4H9）4水解形成的溶胶体系为模板，以AgNO3为银纳米线的前驱体，低温下合成长径比为50～60的银纳米线，采用TEM和XRD对所制得的银纳米线进行表征。以银纳米线作为导电胶的导电填料，成功制备了一种高电导率的各向同性导电胶。导电胶的电学性能和力学性能测试表明：这种导电胶在导电填料含量为56wt％时的电导率比填充75wt％微米银粒子的导电胶高约6倍（体积电阻率为1．2×10^-4Ω·cm）。由于填料含量的降低，该导电胶的抗剪切强度（以Al为基板时的抗剪切强度为17．6MPa）相比于填充75wt％微米银粒子和75wt％纳米银粒子导电胶均有不同程度的提高。

填充碳纳米管各向同性导电胶的性能

制备了以碳纳米管(CNTs)和镀银碳纳米管(SCCNTs)为导电填料的各向同性导电胶,研究了它们的电学性能、力学性能及抗老化性能,并与传统的以微米量级的银粒子作为导电填料的导电胶的性能进行比较。研究发现:CNTs作为导电填料时,在填料体积分数为31%时出现体积电阻率的最低值2.4×10-3Ω.cm;在填料体积分数为23%时导电胶表现出最好的抗剪切性能。在填料体积分数同为28%时,填充SCCNTs导电胶具有最低的体积电阻率2.2×10-4Ω.cm;填充CNTs和SCCNTs显示出比填充微米量级银粒子导电胶高的抗剪切强度(19.6 MPa)。在85℃、RH 85%环境下经过1000h老化测试结果表明:填充SCCNTs或CNTs导电胶体积电阻率的变化和剪切强度的变化均不超过10%;而填充微米量级银粒子导电胶在老化后体积电阻率的变化和抗剪切强度的变化分别达到350%和120%。