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In掺杂对磁性半导体Li_(1.05)(Zn_(0.925),Mn_(0.075))As中铁磁序的调控
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作者 谢玲凤 董金瓯 +2 位作者 赵雪芹 杨巧林 宁凡龙 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第8期317-322,共6页
磁性半导体中磁矩受载流子调控形成有序态,但其机制尚存在着争议.本文利用高温固相反应法,通过(Zn^(2+),In^(3+))替换,即In^(3+)占据Zn^(2+)的晶格位置,在p型块状磁性半导体Li_(1.05)(Zn_(0.925),Mn_(0.075))As中引入n型载流子,成功合... 磁性半导体中磁矩受载流子调控形成有序态,但其机制尚存在着争议.本文利用高温固相反应法,通过(Zn^(2+),In^(3+))替换,即In^(3+)占据Zn^(2+)的晶格位置,在p型块状磁性半导体Li_(1.05)(Zn_(0.925),Mn_(0.075))As中引入n型载流子,成功合成了一系列Li_(1.05)(Zn_(0.925-y),Mn_(0.075),In_(y))As(y=0,0.05,0.075,0.1)新材料.在保持Mn掺杂浓度为7.5%不变时,仍可在所有In掺杂的样品中观察到铁磁转变.随着In掺杂浓度的增大,其居里温度被不断压制.样品的电阻率随着In掺杂浓度的增大而逐渐增大.实验结果表明,随着In的掺杂,Li_(1.05)(Zn_(0.925),Mn_(0.075)),As中原有的p型载流子被部分抵消,导致总载流子浓度降低,反映了n型载流子对Li_(1.05)(Zn_(0.925),Mn_(0.075))As中铁磁序的压制作用,同时也验证了载流子对磁性半导体中铁磁序的重要影响. 展开更多
关键词 磁性半导体 居里温度 铁磁序
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碳化硅单晶加工对晶片表面质量的影响
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作者 张序清 刘晓双 +6 位作者 张玺 朱如忠 高煜 吴琛 王蓉 杨德仁 皮孝东 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期9-13,共5页
碳化硅(4H-SiC)晶片加工是制备高品质衬底晶圆的关键工艺,衬底晶圆的表面质量直接影响外延薄膜以及后续器件的性能。本研究通过对4H-SiC晶片经线切割、磨削、研磨、抛光等不同加工工序后对应的表面形貌、粗糙度、机械性质和晶体质量的分... 碳化硅(4H-SiC)晶片加工是制备高品质衬底晶圆的关键工艺,衬底晶圆的表面质量直接影响外延薄膜以及后续器件的性能。本研究通过对4H-SiC晶片经线切割、磨削、研磨、抛光等不同加工工序后对应的表面形貌、粗糙度、机械性质和晶体质量的分析,发现晶片加工通过逐步去除线切割引入的表面损伤层,提高了晶片表面质量。4H-SiC晶片C面和Si面机械性质存在各向异性,C面材料韧性相对较差,加工过程中发生脆性断裂的程度更大,导致C面材料去除速率较快,表面形貌和粗糙度相对较差。 展开更多
关键词 碳化硅 晶片加工 表面质量 各向异性
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碳化硅晶圆的表面/亚表面损伤研究进展
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作者 李国峰 陈泓谕 +5 位作者 杭伟 韩学峰 袁巨龙 皮孝东 杨德仁 王蓉 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第11期1907-1921,共15页
表面无损伤、粗糙度低的半导体碳化硅(4H-SiC)衬底是制造电力电子器件和射频微波器件的理想衬底材料,在新能源、轨道交通、智能电网和5G通信等领域具有广阔的应用前景。4H-SiC衬底的加工过程包括切片、减薄、研磨、抛光和清洗,在4H-SiC... 表面无损伤、粗糙度低的半导体碳化硅(4H-SiC)衬底是制造电力电子器件和射频微波器件的理想衬底材料,在新能源、轨道交通、智能电网和5G通信等领域具有广阔的应用前景。4H-SiC衬底的加工过程包括切片、减薄、研磨、抛光和清洗,在4H-SiC衬底加工过程中引入的表面/亚表面损伤均严重影响材料性能、同质外延薄膜性质,以及器件性能和可靠性。本文将重点介绍4H-SiC晶片在切片、减薄、研磨、抛光等各个加工环节中表面/亚表面损伤的形成和去除机制,基于4H-SiC晶圆表面/亚表面损伤的检测方法,综述亚表面损伤的形貌和表征参量,并简单介绍三种常见的亚表面损伤的消除方法,分析其技术优势和发展瓶颈,对去除亚表面损伤工艺的发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 半导体 4H-SIC 衬底晶圆 表面/亚表面损伤 晶圆加工
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二维材料构筑的CO_(2)分离膜研究进展
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作者 李卉 王雨琪 +1 位作者 叶志镇 彭新生 《膜科学与技术》 CAS CSCD 北大核心 2023年第6期170-179,共10页
二维材料由于其独特的纳米片结构,已广泛应用于设计高气体渗透通量和选择性的分离膜中.石墨烯类、二维金属有机骨架、二维过渡金属碳化物/碳氮化物等二维材料中构筑的纳米及纳米尺度孔道为分子输运提供了特殊的通道,它们是高渗透性和高... 二维材料由于其独特的纳米片结构,已广泛应用于设计高气体渗透通量和选择性的分离膜中.石墨烯类、二维金属有机骨架、二维过渡金属碳化物/碳氮化物等二维材料中构筑的纳米及纳米尺度孔道为分子输运提供了特殊的通道,它们是高渗透性和高选择性分子筛分的根本原因.本文综述了近年来二维材料基CO_(2)分离膜的研究进展,包括材料种类、分离膜的制备方法、分离性能及分离机制,并对二维材料基CO_(2)分离膜的应用前景进行了总结与展望. 展开更多
关键词 二维材料 气体分离 CO_(2)分离膜 分离机制
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MnO_(x)-CeO_(2)催化剂中元素价态对低温SCR还原NO_(x)性能的影响
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作者 郑拓 王飞 +9 位作者 李松达 郑红梅 张彦 张玉 郭成成 张凯 邵博 赵志浩 王勇 杨杭生 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第6期869-877,896,共10页
采用具有MOFs结构的Ce-MOFs作为前驱体,制备了一系列不同Ce4+离子浓度的CeO_(2),然后负载MnO_(x)制备MnO_(x)-CeO_(2)催化剂,研究发现热处理工艺可以有效调控催化剂中Mn元素和Ce元素的化合价,从而调控催化活性。其中700℃焙烧的CeO_(2)... 采用具有MOFs结构的Ce-MOFs作为前驱体,制备了一系列不同Ce4+离子浓度的CeO_(2),然后负载MnO_(x)制备MnO_(x)-CeO_(2)催化剂,研究发现热处理工艺可以有效调控催化剂中Mn元素和Ce元素的化合价,从而调控催化活性。其中700℃焙烧的CeO_(2)载体负载MnO_(x)后经过300℃热处理制备的催化剂,具有最高脱硝活性,在150~200℃的温度区间NO_(x)转化率接近100%。X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、NH_(3)程序升温脱附(NH_(3)-TPD)、NO温度程序脱附(NO-TPD)等分析显示,在MnO_(x)-CeO_(2)催化剂上SCR脱硝反应主要遵循L-H路径,催化剂中的高浓度Ce^(4+)离子、Mn^(2+)离子和Mn^(3+)离子,有利于催化剂的低温SCR脱硝活性,而Mn4+离子并不是催化剂的最佳活性成分。 展开更多
关键词 氮氧化物 低温选择性催化还原 锰铈催化剂 活性位点 MOF前驱体
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场发射扫描电子显微镜JSM-IT800(SHL)探测器和观察模式的设置
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作者 王洁如 朱笑东 《分析仪器》 CAS 2023年第5期85-89,共5页
型号为JSM-IT800(SHL)场发射扫描电子显微镜是日本电子株式会社(JEOL)所推出的扫描电镜。针对不同类型样品的表征需求,该电镜配置有多个探头和多种观察模式。如果熟练掌握这些探头与观察模式的选择与设置方式,能充分发挥该款电子显微镜... 型号为JSM-IT800(SHL)场发射扫描电子显微镜是日本电子株式会社(JEOL)所推出的扫描电镜。针对不同类型样品的表征需求,该电镜配置有多个探头和多种观察模式。如果熟练掌握这些探头与观察模式的选择与设置方式,能充分发挥该款电子显微镜的优势并能提高样品表征的质量。本文介绍了该款电子显微镜的4种观察模式,并针对不同类型的探头和观察模式,选取具有代表性的扫描电子显微镜图片进行对比,总结探头选择和观察模式的规律,供操作人员和初学者参考。 展开更多
关键词 场发射扫描电镜 JSM-IT800 观察模式 探测器
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原位透射电镜技术在纳米催化剂设计中的应用进展
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作者 李春曦 郭晓云 +1 位作者 吴哲敏 袁文涛 《中国基础科学》 2024年第2期49-55,62,共8页
多相催化在现代工业中占据非常重要的地位。研究表明,纳米催化剂的微观结构在工况条件下会发生变化,并引起催化剂性能的相应改变。近年来原位透射电子显微学的发展为在原子尺度上理解反应过程中纳米催化剂的动态行为提供了机会。重点关... 多相催化在现代工业中占据非常重要的地位。研究表明,纳米催化剂的微观结构在工况条件下会发生变化,并引起催化剂性能的相应改变。近年来原位透射电子显微学的发展为在原子尺度上理解反应过程中纳米催化剂的动态行为提供了机会。重点关注原位透射电镜在催化剂原子尺度原位动态研究中的应用,以一些代表性研究为例,介绍利用原位透射电镜技术在工况条件下对催化剂构效关系、失活机制、结构重构等方面的研究进展。 展开更多
关键词 原位透射电镜 纳米催化剂 结构演变 气氛环境
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