载气气氛对Co/MgMoO_4催化剂CVD法高效合成碳纳米材料的影响

High yield and quality mutli-walled carbon nanotube (MWNT) bundles and carbon nanofibers were synthesized by catalytic decomposition of methane over Co/MgMoO4 catalyst at 1 000 ℃. TEM studies showed that the products were mainly carbon nanofibers without carrier gas and were all MWNT bundles with hydrogen or nitrogen as carrier gas. Thermal gravimetric analyses (TGA) on the raw product indicated that the purity of MWNT was higher than 95wt%. The growth mechanism of carbon nanofibers and MWNTs was also discussed.

利用HWCVD在柔性衬底上制备多晶硅薄膜

通过热丝化学气相沉积法(Hot Wire Chemical Vapor Deposition,HWCVD),采用间歇供应硅烷气体,持续通入氢气的方式控制硅薄膜的生长,发现该方法在有机衬底上生长的薄膜结构为多晶相占主导地位。此外,研究了不同间歇周期条件下薄膜的形貌和结构,并对生长机理进行了解释和讨论。

表面等离激元对氮化硅薄膜中Tb^(3+)离子荧光寿命的影响

利用等离子增强化学气相沉积和离子注入方法,制备了铽掺杂的氮化硅薄膜,然后利用磁控溅射和热处理工艺在薄膜上沉积了不同颗粒尺寸的银薄膜来研究表面等离激元共振对铽离子荧光寿命的影响。实验结果表明氮化硅中Tb3+离子的光致荧光最强峰在547 nm,而银薄膜的存在会明显降低稀土离子Tb3+的荧光寿命,其寿命的改变是由于银薄膜的表面等离激元改变了电磁场的分布,从而影响了系统的局域光模密度(PMD),理论计算的结果也验证了这一点。

扩硼硅pn结二极管室温近红外电致发光性能

采用扩散法制备了两种掺杂浓度的硅pn结二极管,对它们的室温近红外电致发光性能进行了研究。结果表明,轻掺硅pn结二极管室温电致发光谱中只有带边峰(1.1eV),而重掺硅pn结二极管在较大的注入电流下,除带边峰外还有0.78eV发光峰,该发光峰的强度随注入电流增加呈指数增长。在低温光致发光谱中没有出现与缺陷相关的发光峰,在高分辨截面透射电镜照片中也没有发现位错或位错环等缺陷。0.78eV发光峰可能是由于大量硼扩散进入硅晶格内产生的应力造成带隙变化,注入的载流子在此处进行辐射复合产生的。

低温下溶胶凝胶法制备TiO_2纳米晶(英文)

从含过量水的溶胶出发,在室温下得到了TiO2纳米晶。通过红外光谱,透射电子显微镜法和X射线粉末衍射法对含有过量水的溶胶体系中TiO2纳米晶的室温形成机理进行了研究。与传统的溶胶凝胶法相比,在改良的溶胶凝胶体系中,在缩聚反应之前由于水过量使得钛的先驱体快速且充分的水解,从而生成[TiO6]基团,随之形成TiO2纳米晶。晶粒的尺寸为约3.5nm,该法得到的TiO2纳米晶比传统溶胶凝胶法得到的TiO2纳米晶和商用光催化剂德固赛P25具有更好的光催化活性。

晶相形成对TiSi_2薄膜光学性能的影响

通过常压CVD方法由SiH4和TiCl4直接在玻璃基板上成功制备了TiSi2薄膜，用XRD、FESEM、四探针测阻仪和分光光度计研究了薄膜的结构、形貌、电学和光学性能。研究表明TiSi2薄膜的晶相是面心正交刊TiSi2；薄膜的电阻率直接由晶相的形成决定，受晶相颗粒大小和晶相致密度控制，TiSi2薄膜的电阻率随薄膜中TiSi2晶相含量的增大而下降。TiSi2薄膜在400—750nm范围的可见光区具有大致相同的透射比和最小的反射比，薄膜的透射比随薄膜厚度的增加而减小。在大于750nm的红外区，薄膜电阻率越小，对红外辐射的反射比越高，且随着波长增加至25000nm，TiSi2薄膜的反射比逐渐上升到约0．95。

添加Ni元素对新型高强度低Cu中温铝合金钎料腐蚀性能的影响

为研究添加Ni元素对Al-10Si-15Cu合金钎料耐腐蚀性能的影响,本文采用三电极方法测量了Al-10Si-15Cu和Al-10Si-15Cu-4Ni合金钎料在0.5MNaCl盐溶液中的动电位极化曲线和交流阻抗谱,并利用XRD、SEM和EDS等技术分析腐蚀前后的表面成分和形貌。结果表明,Al-10Si-15Cu-4Ni合金中主要含有α-Al、Si相、Al2Cu相及Al3(Cu,Ni)2相。在Al-10Si-15Cu钎料合金的基础上添加4wt.%Ni后,自腐蚀电流密度icorr从10.18μA cm-2降低到3.42μA cm-2,极化电阻RP提高近3倍,合金耐腐蚀性提高,而临界点蚀电位EPit4Ni负移,ΔE(=EPit-Ecorr)变小,点蚀倾向加剧。Al-10Si-15Cu-4Ni合金钎料中部分Cu元素固溶在粗大耐腐蚀相Al3Ni2中,抑制了腐蚀相Al2Cu相的生成;同时由于Ni的添加耐腐蚀块状Si相转变为片状结构,Al2Cu相聚集,从而增大了基体α-Al的相对面积,这两个方面均有利于钎料合金的耐腐蚀性的提高。

纳米CaCO_3负载过渡金属CVD法制备多壁碳纳米管的研究

以纳米碳酸钙粉体为载体 ,用浸渍法制备了可用于化学气相沉积 ( CVD)法制备碳纳米管的高产率催化剂 .应用 FESEM,HRTEM,TEM,XRD和激光拉曼谱对产物进行了表征 .结果表明 ,由于纳米碳酸钙具有较大的比表面积 ,可高密度地承载催化剂活性组分 .在碳纳米管生长初期 ,处于缓慢分解状态的纳米碳酸钙才能有效地起到载体作用 ,且反应温度为 70 0～ 75 0℃时 ,碳纳米管的产率较高 .Fe-Co双金属催化剂在 70 0℃ ,催化生长 60 min后 ,可增重 1 0倍 ,而且产物中无定形碳含量极少 .纳米碳酸钙载体易于提纯 ,用质量分数为 3 0 %的硝酸超声提纯粗产品 1 h,可使纯度提高到 97% 。

超声波化学预镀改善烧结Nd-Fe-B表面Ni-P合金结合力

采用超声波化学预镀方法,研究超声波功率对Ni-P镀层与烧结Nd-Fe-B磁体结合力的影响。采用扫描电镜观察镀层与磁体的表面和截面组织形貌,采用X射线衍射仪测定镀层的相组成和晶体结构。结果表明,随超声功率的增加,Ni-P镀层与磁体的结合力逐渐提高,当超声功率为150W时,镀层结合力达到最大值。与无超声场下的Ni-P化学镀层相比,经超声波预镀工艺获得的镀层组织均匀、结构致密,镀层与磁体结合紧密。分析超声波改善镀层与磁体结合力的机理,认为超声波的搅拌作用和空化作用有助于提高镀层与磁体的结合力。

基于银掺杂钠钙玻璃的荧光染料自发辐射增强

本文通过离子交换和后续热处理的方法在钠钙玻璃中引入Ag纳米颗粒,并将Ag掺杂的钠钙玻璃作为衬底增强了钠钙玻璃和荧光染料罗丹明6G(R6G)的荧光辐射。Ag纳米颗粒的表面等离激元散射增强了掺杂玻璃的荧光,而R6G的增强荧光辐射则源于掺杂玻璃与荧光染料之间的辐射共振能量转移。