少子产生寿命计算机辅助测量及应用的研究

研究了半导体材料少子产生寿命的计算机辅助测量 ,设计了相应的产生寿命 C- t瞬态测量系统 ,能实现从阶跃信号产生直到测量结果输出全过程的自动化 ,提高了测量速度和准确度。应用于传统的“Zerbst图”法 ,可在原理和数据处理两方面得到较大的改善。

利用I-V正向特性提取PN二极管主要参数的研究

研究了利用电流 -电压 (I- V)正向特性提取 PN结二极管参数的方法。与通常使用的 PN结二极管模型不同 ,本文模型考虑了并联电导对电流的影响。在 I- V特性曲线上读取四级 (V,I)值 ,用牛顿法对模型方程组进行数值求解 ,可提取出 PN结二极管的主要参数 :反向饱和电流 ,串联电阻 ,发射系数以及并联电导。结果表明 ,该方法简便。