表面光电压法研究抛光硅片制造中铁沾污的来源

铁杂质是硅片制造过程中常见的重金属沾污 ,表面光电压 (SPV)法可很好地用于测定P型硅中铁杂质。本文通过SPV法测试不同流程制造的P型抛光硅片中的铁沾污 ,找到了在P型抛光硅片制造工艺过程中引入铁沾污的主要来源。

基于CAE分析的歧管盖注塑模具设计

基于CAE分析,设计了一种单腔两板冷、热流道注塑模具用于形状复杂的歧管盖塑件的注射成型。CAE分析结果表明,塑件模腔的浇注方式采用单点侧浇口进行浇注,流道使用冷、热流道相结合的复合流道形式,能保证料流在模腔内充分流动,模腔充填时间为3.5 s左右,充填压力为43 MPa左右。模腔主分型面使用阶梯式分型面,能将塑件的模具结构简化为两板模形式,脱模机构简化为2个斜导柱滑块机构、2个油缸抽芯机构及1个斜顶机构用于塑件的侧抽芯脱模,实现塑件的脱模自动化。设置油缸抽芯机构时,2个油缸抽芯机构使用串联接通方式接通,确保了塑件的无变形顺序脱模。

超薄单晶硅片加工检测技术的研究进展

半导体硅片是半导体产业链的上游,是制作芯片的核心材料,贯穿了芯片制作的全过程,半导体硅片的质量和数量制约着下游终端领域行业的发展。随着便携式电子产品不断朝着高集成度和微型化的方向发展,芯片的体积也不断减小。为了满足芯片体积进一步减小的需求,芯片封装前通常需要对硅片背面进行减薄,除了在封装技术上不断地革新,超薄单晶硅片的应用势在必行。简单介绍了半导体硅片的加工工艺流程,分析了超薄单晶硅片的制备方法及减薄工艺,讨论了减薄后的单晶硅片的表面质量(如翘曲度、厚度均匀性、粗糙度、损伤层厚度等)及其影响因素,并对硅片表面损伤层检测方法进行了简要的综述。

龙凤桥T梁拆除施工关键技术

城市桥梁改扩建过程中,旧桥拆除是一项重要的内容,其过程涉及桥上保通和桥下通航。正确的拆除方式是在确保各方面安全的前提下,既经济合理又能提高工程的进度。拆除之前首先需要做施工准备,然后针对各部件制订拆除方案,最后还要考虑拆除时桥下的通航方案。以嘉兴市快速路高架桥改扩建过程中龙凤桥拆除为例,介绍大跨径简支梁桥拆除施工技术,为今后类似桥梁拆除提供参考。