LED对MM和HBM静电放电敏感性的研究

为研究机器模式(MM)及人体模式(HBM)静电放电试验对LED特性的影响,参考国际标准对半导体元件的静电放电测试要求,对LED样品分别进行MM及HBM静电放电试验。每次静电测试前后均对样品进行光电参数测试,观察样品光电参数的变化,并以此作为判别LED失效的依据。通过实验,研究对比MM静电放电和HBM静电放电试验对LED特性的影响,并从理论上探讨了相关失效机理。实验表明无论是MM静电放电还是HBM静电放电,均会造成LED反向漏电流增大,正向I-V特性"收缩",光通量一定程度的衰减。但是在静电敏感电压上有差别较大,MM静电失效电压远低于HBM静电失效电压。

LED加速寿命和可靠性试验

LED的寿命和可靠性得到了业界的高度重视,但其试验方法极具挑战。目前已有关于LED寿命试验的标准相继出台,然而不同区域的标准要求又有所不同。分析LED可靠性和寿命相关的关键指标,以北美体系和国际电工委员会(IEC)体系为主线,阐述LED加速寿命的试验方法,介绍具有我国自主知识产权的LED加速老化和寿命测试系统,其能够满足现有各种标准要求,实现方便、快速、精准的智能化试验。