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光调制反射谱用于研究MBE GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs外延膜
1
作者
池坚刚
赵文琴
李爱珍
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1991年第2期107-112,共6页
本文讨论了量子阱的光调制反射谱(PR)线形,并采用光调制反射谱研究了MBE GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs异质结、应变层量子阱。可见,用PR谱研究MBE外延膜具有一定的优越性。
关键词
光调制反射谱
外延膜
分子束外延
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职称材料
题名
光调制反射谱用于研究MBE GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs外延膜
1
作者
池坚刚
赵文琴
李爱珍
机构
浙江省台州地区计划经济委员会
中国科学院上海技术物理研究所
中国科学院上海冶金研究所
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1991年第2期107-112,共6页
文摘
本文讨论了量子阱的光调制反射谱(PR)线形,并采用光调制反射谱研究了MBE GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs异质结、应变层量子阱。可见,用PR谱研究MBE外延膜具有一定的优越性。
关键词
光调制反射谱
外延膜
分子束外延
Keywords
Photoreflectance spectroscopy, epitaxial film
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
光调制反射谱用于研究MBE GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs外延膜
池坚刚
赵文琴
李爱珍
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1991
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