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应力预释放对单晶硅片的压痕位错滑移的影响 被引量:3
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作者 赵泽钢 田达晰 +3 位作者 赵剑 梁兴勃 马向阳 杨德仁 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第20期409-414,共6页
单晶硅片的压痕位错在一定温度下的滑移距离反映了硅片的机械强度.压痕位错的滑移是受压痕的残余应力驱动的,因此研究残余应力与位错滑移之间的关系具有重要的意义.本文首先采用共聚焦显微拉曼术研究了单晶硅片压痕的残余应力经过300或... 单晶硅片的压痕位错在一定温度下的滑移距离反映了硅片的机械强度.压痕位错的滑移是受压痕的残余应力驱动的,因此研究残余应力与位错滑移之间的关系具有重要的意义.本文首先采用共聚焦显微拉曼术研究了单晶硅片压痕的残余应力经过300或500℃热处理后的预释放,然后研究了上述应力预释放对压痕位错在后续较高温度(700—900℃)热处理过程中滑移的影响.在未经应力预释放的情况下,压痕位错在700—900℃热处理2 h后即可滑移至最大距离.当经过上述预应力释放后,位错在900℃热处理2 h后仍能达到上述最大距离,但位错滑移速度明显降低;而在700和800℃时热处理2 h后的滑移距离变小,其减小幅度在预热处理温度为500℃时更为显著.然而,进一步的研究表明:即使经过预应力释放,只要足够地延长700和800℃的热处理时间,位错滑移的最大距离几乎与未经预应力释放情形时的一样.根据以上结果,可以认为在压痕的残余应力大于位错在某一温度滑移所需临界应力的前提下,压痕位错在某一温度滑移的最大距离与应力大小无关,不过达到最大距离所需的时间随应力的减小而显著增长. 展开更多
关键词 单晶硅片 压痕 位错滑移 应力释放
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蓝宝石加工过程中金刚石线锯生命周期表面形貌及抗拉极限载荷实验研究 被引量:1
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作者 倪永明 黎振 李国和 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2017年第4期62-66,共5页
为优化金刚石线锯多线切割加工蓝宝石晶片的工艺参数,通过加工实验,获得金刚石线锯生命周期内各个阶段样本,采用扫描电镜分析样本表面形貌;用拉伸试验机对样本抗拉极限载荷进行测试,得到样本的抗拉极限载荷,并对断口形貌进行分析。实验... 为优化金刚石线锯多线切割加工蓝宝石晶片的工艺参数,通过加工实验,获得金刚石线锯生命周期内各个阶段样本,采用扫描电镜分析样本表面形貌;用拉伸试验机对样本抗拉极限载荷进行测试,得到样本的抗拉极限载荷,并对断口形貌进行分析。实验结果表明:金刚石磨粒在生命周期内,经历包覆磨损、显露、碎裂、脱落的过程;磨粒碎裂是导致脱落的主要原因;生命周期内,金刚石线锯抗拉极限并没有随着线磨损、金刚石颗粒掉落而降低;断口分为裂纹扩展区、瞬断区、电镀层区,且电镀层区与瞬断区发生分离。在分析结果的基础上,给出工艺参数优化方法。 展开更多
关键词 金刚石线锯 蓝宝石 多线切割 表面形貌
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外延硅片表面时间雾的形成及其机理
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作者 李慎重 梁兴勃 +2 位作者 田达晰 马向阳 杨德仁 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第6期266-273,共8页
外延片生产中有时会遇到外延硅片在洁净室中暴露--段时间后产生雾状宏观缺陷(即所谓的时间雾)的不利情形,然而关于外延硅片表面时间雾的成因目前尚不清楚。通过探究常压化学气相外延工艺生长的外延硅片表面时间雾的形成条件,发现外延硅... 外延片生产中有时会遇到外延硅片在洁净室中暴露--段时间后产生雾状宏观缺陷(即所谓的时间雾)的不利情形,然而关于外延硅片表面时间雾的成因目前尚不清楚。通过探究常压化学气相外延工艺生长的外延硅片表面时间雾的形成条件,发现外延硅片取出之前生长腔和传递腔之间的压力差是时间雾形成与否的关键因素。分析认为:取片之前,当生长腔相对传递腔为正压时,外延尾气的返流使得外延硅片表面吸附了尾气中的SiCl_(2)及其团簇(SiCl_(2))_(n),进一步吸附空气中的水分并与之发生化学反应,这是时间雾形成的内因。采用扫描电子显微镜(SEM)、X光能量色散谱(EDS)和全反射X光荧光光谱(TXRF)等手段,对时间雾相关的颗粒形貌和组分进行表征。结果表明:时间雾相关的颗粒呈现为规则多面体和球形两种典型形貌,前者与NH_(4)Cl小晶体有关,而后者与有机物有关。分析认为:洁净室空气中的含NH_(4)^(+)无机组分以及异丙醇(IPA)等有机组分是形成时间雾的外因。生产中避免外延硅片表面时间雾的根本措施在于,在外延炉腔中取片之前必须避免外延工艺的尾气不会返流至生长腔。 展开更多
关键词 外延硅片 时间雾 无机组分 有机组分
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浅谈光伏玻璃在线缺陷检测设备 被引量:1
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作者 田密 曲兆娟 《玻璃》 2013年第9期9-11,共3页
分析了光伏玻璃在线缺陷检测设备的主要构造及工作原理,并结合在线缺陷检测设备存在的主要问题,提出未来改进的方向。
关键词 光伏玻璃 在线缺陷 检测设备
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浅谈企业内部控制存在的问题及措施
5
作者 向世军 《中国经贸》 2014年第22期157-158,共2页
企业内部控制是一项综合化、系统化的工作,需要企业内部不同部门之间相互合作,全面提高企业运行效率。良好的企业内部控制环境能够完善企业内部环境,规范财务会计核算体系,推行全面的预算管理制度,增强企业的综合竞争力。
关键词 企业发展 内部控制 竞争力 问题措施
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探讨我国企业财务预算管理存在的问题及对策
6
作者 向世军 《经济视野》 2014年第24期327-328,共2页
企业财务预算作为现代企业的关键环节,其按照企业发展目标将财务预算层层分解,以一系列的控制、协调和考核为内容,形成一整套系统化、体系化和科学化的财务管理系统,保证企业计划工作的顺利开展和完善,并且可以加强不同部门之间的交流沟... 企业财务预算作为现代企业的关键环节,其按照企业发展目标将财务预算层层分解,以一系列的控制、协调和考核为内容,形成一整套系统化、体系化和科学化的财务管理系统,保证企业计划工作的顺利开展和完善,并且可以加强不同部门之间的交流沟通,提高工企业的综合竞争力. 展开更多
关键词 企业发展 财务管理 问题对策 创新意义
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掺杂剂对重掺n型直拉硅片的氧化诱生层错生长的影响
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作者 张越 赵剑 +4 位作者 董鹏 田达晰 梁兴勃 马向阳 杨德仁 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第9期450-455,共6页
对比研究了电阻率几乎相同的重掺锑和重掺磷直拉硅片的氧化诱生层错(OSF)的生长,以揭示掺杂剂对重掺n型直拉硅片的OSF生长的影响.研究表明:在相同的热氧化条件下,重掺锑直拉硅片的OSF的长度大于重掺磷硅片的.基于密度泛函理论的第一性... 对比研究了电阻率几乎相同的重掺锑和重掺磷直拉硅片的氧化诱生层错(OSF)的生长,以揭示掺杂剂对重掺n型直拉硅片的OSF生长的影响.研究表明:在相同的热氧化条件下,重掺锑直拉硅片的OSF的长度大于重掺磷硅片的.基于密度泛函理论的第一性原理计算结果表明:与磷原子相比,锑原子是更有效的空位俘获中心,从而抑制空位与自间隙硅原子的复合.因此,在经历相同的热氧化时,氧化产生的自间隙硅原子与空位复合后所剩余的数量在重掺锑硅片中的更多,从而导致OSF更长. 展开更多
关键词 掺杂剂 点缺陷 氧化诱生层错 直拉硅
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浅谈制造业财务成本精细化管理措施 被引量:15
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作者 向世军 《企业改革与管理》 2014年第12X期211-212,共2页
随着我国经济的迅猛增长,当前企业经营管理的方向以及管理核心都在逐渐发生改变,企业的财务成本管理已经发展成为了企业管理的核心内容,制造行业也不例外。本文从制造业财务成本精细化管理的必要性入手,分析当前制造业财务成本精细化管... 随着我国经济的迅猛增长,当前企业经营管理的方向以及管理核心都在逐渐发生改变,企业的财务成本管理已经发展成为了企业管理的核心内容,制造行业也不例外。本文从制造业财务成本精细化管理的必要性入手,分析当前制造业财务成本精细化管理面临的挑战,进一步提出改进制造业财务成本精细化管理具体措施。 展开更多
关键词 制造业 制造企业 财务管理 财务成本精细化
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