氮化铝基陶瓷覆铜板的制作及其应用

AlN陶瓷是一种共价键较强的非氧化合物,具有良好的化学稳定性,因此A1N陶瓷很难在高温和氧气氛下与Cu直接键合制成氮化铝基陶瓷覆铜板(AlN DBC基板)。若在A1N基片表面上预制一定厚度、且非常致密的Al_2O_3层后,就能借鉴Cu箔和Al_2O_3基片高温键合工艺制作性能优良的AlN DBC基板。本文简要阐述了银河公司在制作AlN DBC基板过程中采用的化学氧化法,高温氧化法,循环温差交替降温法,磁控溅射法等工艺技术,还简要介绍了本公司生产的AlN DBC基板的规格和主要技术参数及其在电力半导体模块中的应用实例。

电力半导体模块新趋势

简要叙述了电力半导体模块的发展过程,介绍了晶闸管智能模块的结构和特性,描述了IGBT智能模块的现状和发展趋势,指出了我国大力发展IPEM的必要性。

IGBT模块用低热阻陶瓷覆铜板的制作研究

IGBT模块用低热阻陶瓷覆铜板(Direct Bonded Copper简称DBC)是在高温(>1000℃)、流动(N_2+O_2)气氛下将厚度0.15mm～0.3mm的铜箔与厚度0.25mm或0.38mm的Al_2O_3陶瓷基片直接单面或双面键合而成的复合材料。它具有优良的热导性,高的电绝缘强度,超级的热循环稳定性,稳定的机械性能和优异的可焊性。它的热膨胀系数与硅很接近,因而可把硅芯片直接焊在DB C陶瓷覆铜板上,从而减掉了过渡层钼片。它可按功率单元电路的要求,像PCB板一样能蚀刻出各种图形作为硅芯片焊接衬底以及主电极和控制极的焊接支架。它载流能力大,其铜箔的电流密度约为铜导体的6～8倍左右。因此DBC陶瓷覆铜板已成为目前电力半导体模块制作的基础关键材料。文章还简要地介绍了淄博市临淄银河高技术开发有限公司在生产IGBT模块用低热阻陶瓷覆铜板过程中所采用的特殊专有工艺技术以及DBC陶瓷覆铜板的规格和主要技术参数。

JP-SSY01数字移相式集成电路的原理及应用

介绍了临淄银河公司的新型全数字移相触发集成电路JP-SSY01的功能特点、内部结构、工作原理及典型应用。最后给出了它在单相。

氮化铝基陶瓷覆铜板的制作及其应用

氮化铝（AlN）陶瓷是一种共价键较强的非氧化合物，具有良好的化学稳定性，因此AlN陶瓷很难在高温和氧气氛下与铜（Cu）直接键合制成氮化铝基陶瓷覆铜板。若在AlN基片表面上预制一定厚度、且非常致密的氧化铝（Al2O3）层后，就能借鉴Cu箔和Al2O3基片高温键合工艺制作性能优良的AlN DBC基板。文中简要阐述了银河公司在制作AlN DBC基板过程中采用的化学氧化法，高温氧化法，循环温差交替降温法，磁控溅射法等工艺技术，还简要介绍了本公司生产的AlN DBC基板的规格和主要技术参数及其在电力半导体模块中的应用实例.

氮化铝基陶瓷覆铜板的制作及其应用

氮化铝（AlN）陶瓷是一种共价键较强的非氧化合物，具有良好的化学稳定性，因此AlN陶瓷很难在高温和氧气氛下与铜（Cu）直接键合制成氮化铝基陶瓷覆铜板。若在AlN基片表面上预制一定厚度、且非常致密的氧化铝（A1203）层后，就能借鉴Cu箔和A1203基片高温键合工艺制作性能优良的AlNDBC基板。文中简要阐述了银河公司在制作AINDBC基板过程中采用的化学氧化法，高温氧化法，循环温差交替降温法，磁控溅射法等工艺技术，还简要介绍了本公司生产的AINDBC基板的规格和主要技术参数及其在电力半导体模块中的应用实例。

智能电机控制模块的性能及应用

介绍一种可取代传统电机软起动设备的电机控制模块，内容包括模块内部结构，电路工作原理，实验情况及应用领域。

晶闸管恒流恒压模块的特点及应用

阐述晶闸管恒流恒压装置的主要特点、工作原理及典型应用。

数字式智能电机控制模块

介绍一种取代传统电机起动装置的数字式智能电机控制模块,内容包括其系统构成、主要功能、实验情况及在实际中的应用。

智能晶闸管模块在电气控制中的应用

简要介绍了智能晶闸管模块在电气控制中的应用

晶闸管智能模块在电源中的应用

本文介绍了晶闸管智能模块在开关电源中的应用。

数字式智能电机控制模块

介绍一种取代传统电机起动装置的数字式智能电机控制模块,内容包括其系统构成、主要功能、实验情况及在实际中的应用。