文中采用Si_3N_4为绝缘壳体,Si_3N_4-B_4C和Si_3N_4-SiC为正、负极,设计制备层压式整体陶瓷热电偶传感器,并进行组织结构分析与性能测试。结果表明:热电偶各层之间以及电极复合材料中第二相与基体之间结合紧密;正、负电极复合材料呈现...文中采用Si_3N_4为绝缘壳体,Si_3N_4-B_4C和Si_3N_4-SiC为正、负极,设计制备层压式整体陶瓷热电偶传感器,并进行组织结构分析与性能测试。结果表明:热电偶各层之间以及电极复合材料中第二相与基体之间结合紧密;正、负电极复合材料呈现典型渗流导电行为;绝缘壳体与正、负电极之间具有良好的热适配性;热电偶在1 600℃时输出热电势与塞贝克系数达到242 m V和154.31μV/℃,在1 200℃保温时热电势偏差为±0.28%,表现出良好的测量精度、灵敏度和稳定度。展开更多
文摘文中采用Si_3N_4为绝缘壳体,Si_3N_4-B_4C和Si_3N_4-SiC为正、负极,设计制备层压式整体陶瓷热电偶传感器,并进行组织结构分析与性能测试。结果表明:热电偶各层之间以及电极复合材料中第二相与基体之间结合紧密;正、负电极复合材料呈现典型渗流导电行为;绝缘壳体与正、负电极之间具有良好的热适配性;热电偶在1 600℃时输出热电势与塞贝克系数达到242 m V和154.31μV/℃,在1 200℃保温时热电势偏差为±0.28%,表现出良好的测量精度、灵敏度和稳定度。