影响钙钛矿结构陶瓷n型半导化的结构因素

综合分析了ＡＢＯ３钙钛矿结构陶瓷半导化已有的一些实验结果，总结归纳出晶体结构因素对半导体化影响的一些基本规律。指出这一类型陶瓷在实现ｎ型半导化时由固有的晶体结构所决定的有利及不利因素，而其中有些不利因素的影响,可通过某些工艺措施予以降低。

ZnO压敏电阻器中的电容弥散

基于ZnO压敏电阻器的电子态特征 ,界面肖特基势垒不仅对其导电性能 ,而且对其介电性能也有决定性的影响 .分析了三种可能导致电容弥散现象的机制 ,它们都与界面势垒的性状密切相关 ,给出的一些估算结果 ,与实验所得规律和数据基本符合 .依据有效媒质理论的分析 ,认为不一致的晶界势垒高度是导致低频端的电容量随频率降低反常地升高的原因之一 .