低功耗SOC的动态时钟管理

介绍了一种系统级设计的时钟管理方案以及功耗管理模块的实现;分析了该方案在实现中可能存在的问题,并给出解决方法。此方案可以显著地降低时钟网络的动态功耗,弥补了现有工具只能在设计后期才能发挥作用的不足,达到了降低整个SOC芯片功耗的目的;引用具体设计项目,说明系统如何动态地调节时钟频率。

Flash ROM的X微束辐照试验研究及失效机理分析

Flash ROM芯片的存储阵列和外围电路均具有较高的辐射易损性,辐射损伤模式多样。为对其辐射敏感电路进行定位和分析,本文采用X射线微束开展局部辐照试验研究。分别研究了存储阵列,译码电路以及电荷泵等不同电路模块所引起的失效表征,利用错误位的逻辑地址映射图,总结错误分布规律,结合相应电路结构对其失效机理进行分析。辐照存储阵列会导致规则分布的0→1翻转错误,而译码电路出错会导致1→0的错误,电荷泵电路退化则会导致器件擦除和写入功能的失效。微束辐照结果可以有效补充全芯片总剂量效应考核的不足,为器件的抗辐射加固提供有益的参考。

CPLD器件中电荷泵的分析与设计

以CPLD电路中的Dickson电荷泵作为研究和分析的对象,利用CADENCE中的Spectre仿真软件进行电路的仿真验证,分析了电荷泵中输出级负载电容与其电压上升时间的关系,电荷泵产生电压与电荷泵级数、电源电压的关系,三种电荷泵产生电压的区别,及电阻负载对电荷泵上升电压的限制,所得结果对CPLD电路电荷泵设计具有指导意义。

嵌入式CPU异常处理的设计及其硬件实现

嵌入式ＣＰＵ已成为ＳＯＣ设计的热点。异常处理是ＣＰＵ设计中最关键的部分。介绍嵌入式ＣＰＵ异常处理的一般机制，并在此基础上设计３２位ＣＰＵ的异常处理模块，给出了仿真结果，并讨论了其方便的可扩展性。

界面对封装用金刚石/铝复合材料性能的影响

通过对表面改性后的金刚石同铝粉进行烧结,对比研究了不同的界面层对复合材料导热率的影响。实验表明,通过表面改性制备的镀Ti金刚石/Al复合材料,在同样制备条件下其热导率和致密度性能优于表面未镀覆的金刚石/Al复合材料。金属基体中,Si元素的添加能有效降低烧结体的烧结温度,但是其热导率低于基体中未添加杂质元素的镀Ti金刚石/Al复合材料。金刚石/Al复合材料的热导率同界面结构有关,镀覆合适的金属元素能有效改善金刚石对铝的润湿性,降低界面热阻,从而能有效提高金刚石/铝复合材料的导热率。

语音信号短时分析算法研究与实现

在通信领域中,语音信号的研究层出不穷,语音信号处理是以语音语言学和数字信号处理为基础而形成的一门涉及面很广的综合性学科,其中,短时分析给语音信号处理提供了有力的分析方法。本文研究了语音信号的分析方法,即短时能量与短时平均幅度分析、短时过零率分析、短时相关分析、短时傅里叶变换分析,并利用MATLAB对语音信号的短时分析进行了算法实现。

三相正弦波脉宽调制(SPWM)信号发生器SM2001

介绍一种可自动产生三相正弦波脉宽调制波形的专用芯片的结构、原理及使用方法。它可广泛用于三相电机的变频控制。

深亚微米大容量PROM芯片ESD保护技术

从全芯片角度出发,采用多电源ESD架构和全芯片ESD设计,对整颗芯片提供全方位的ESD保护,介绍了基于0.18μm CMOS工艺设计的大容量PROM芯片的ESD设计技术。同时,通过对高压编程引脚的ESD加固设计,提高了芯片的整体抗ESD能力。最终产品ESD测试满足项目要求。

基于OVM的IP验证

芯片验证的工作量约占整个芯片研发的70％，已然成为缩短芯片上市时间的瓶颈。应用OVM方法学搭建SoC设计中的DMA IP验证平台，可有效提高验证效率。

两种H形管的抗总剂量性能仿真研究

为了研究0.13μm体硅工艺的抗总剂量效应加固,分别对两种结构的H形管的性能做了仿真研究。仿真结果表明,两种结构的H形管有基本相同的转移特性曲线,但有一种结构的H形管有较大的饱和电流;同时,此结构的H形管还有较强的抗总剂量性能,可考虑在抗辐照要求的集成电路中使用。

栅氧厚度对PROM中存储单元性能影响仿真

研究了栅氧厚度对反熔丝PROM中存储单元性能的影响。通过改变仿真模型中栅氧层的厚度,研究了存储单元的击穿电阻等的性能的变化趋势。仿真结果表明,栅氧厚度减薄可有效提升存储单元的读取速度,但会降低晶体管的可靠性和使用寿命。

IP模块间通信网络设计

现代复杂的电子系统设计划分为不同的子模块或子系统。这样划分可以在设计中有效地控制设计的复杂度,可以将系统划分成独立的功能块,简化块间通信,以及使各模块并行操作,提高系统水平。另外,设计划分可以减少每个模块的互联线数目,易于模块组装,而且可以实现设计复用。因此,复杂系统需要从最抽象的算法层到基于模块的电路系统结构中有可以连续调整的描述模型,以便设计优化。划分后的系统各模块间需要适当的通信网络以及通信协议,以满足系统的功能和性能要求。

采用EEPROM工艺设计通用阵列逻辑器件——遇到的问题与解决方案

电可擦除只读存储器（EEPROM）工艺可广泛运用于各种消费产品中，像微控制器、无线电话、数字信号处理器、无线通讯设备以及诸如专用芯片设计等诸多应用设备中。0．18μm EEPROM智能模块平台可广泛应用于快速增长的IC卡市场，如手机SIM卡、借记卡、信用卡、身份证、智能卡、USB钥匙以及其他需要安全认证或需时常更新和编写资料的应用设备中。

充分发挥设计人员在IC设计企业中的作用

共同的价值、信念及和益追求,把全体员工凝聚在一起,增强了企业的内聚力。对一个企业来说,为实现共同的目标而努力奋斗常常是企业发展的动力源泉。

基于65nm高速SRAM全定制设计

工艺进入65nm后,芯片集成度越来越高,器件的尺寸原来越小,加上走线宽度的减少,互连寄生效应越来越大,对SRAM的性能的影响也愈加显著。本文从全定制的设计流程出发,介绍了怎样实现SRAM不同功能模块之间的版图布局和IP的设计。在保证模块性能的同时,减少互连寄生对SRAM的影响,保证SRAM的高速运行。