TAIKO晶圆激光切环研究

随着科技的进步,近年来对超薄晶圆的需求日益增长,迪思科科技有限公司开发出一种新型的晶圆背面研磨技术——-TAIKO工艺。这项技术在对晶圆进行研磨时,仍保留晶片外围约3mm左右的边缘部分,只对圆内进行研磨薄型化,从而减少晶圆的翘曲,大大降低对了对后工序机台的传送要求及破片风险,满足了厚度小于100um的超薄晶加工需求。但是,这项技术同时也引入了新的问题需要处理。边缘3mm左右圆环的存在,使得常规的电性测量机台无法直接测量以及常规的切割机无测切割晶粒。本文讨论一种使用激光切割晶圆边缘圆环的方式,设计特殊的切割盘,便于分离切割下来的TAIKO晶圆边缘圆环,同时,采用正面不贴蓝膜的方式,节省工序,方便后面的继续加工。

晶圆背面硅腐蚀研究

随着半导体技术的进步,晶圆的特征尺寸不断缩小,集成度大幅提高。硅晶圆正面制作完成集成电路后,进行背面减薄,使其达到所需要的厚度,可以降低器件热阻、提高工作散热及冷却能力、便于封装,而功率器件芯片,更是需要在晶圆减薄后,进行背面金属沉积,以此作为电极,从而在封装的时候,可以从背面金属上接出引线。硅晶圆在背面研磨减薄后,表面会受到损伤,硅片应力极大,使得翘曲度也极大,容易碎片,因此需要进行背面硅腐蚀,去除损伤层,释放应力。硅腐蚀对背面金属的粘附性存在很大的影响,文章主要研究不同的硅腐蚀液及酸槽条件对背面金属粘附性的影响。