PECVD法制备不同衬底微晶硅薄膜的研究

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法分别在玻璃衬底和p型薄膜硅衬底上制备了微晶硅薄膜。使用拉曼谱仪、紫外-可见分光光度计、傅里叶红外光谱仪等对微晶硅薄膜进行检测,重点研究了硅烷浓度、衬底温度对薄膜沉积速率和晶化率的影响。实验结果表明:两种衬底上薄膜的沉积速率均随硅烷浓度的增大、衬底温度的升高而变大。硅烷浓度对两种衬底的薄膜晶化率影响规律相同,即均随其升高而降低;但两种衬底的衬底温度影响规律存在差别:对玻璃衬底而言,温度升高,样品晶化率减小;而p型薄膜硅衬底则在温度升高时,样品晶化率先增大后减小。此外还发现,晶化率与薄膜光学性能及含氧量存在较密切关联。

基于多芯片组件技术实现高电容数字显示电路的计数控制

本文结合已有的数字显示电路设计方案,通过引入数据锁存、电压比较及整形技术对计数控制单元进行改进,使其计数控制时间不受晶体管饱和压降和电源电压的制约,并对电路进行多芯片组件(MCM)封装。Spectra仿真结果表明,采用本文的改进方法和MCM封装技术,可以明显改善信号的振铃、延时和寄生效应等现象,同时其电磁干扰强度也得到较好的抑制。