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掺氮类金刚石薄膜的电化学C-V研究
被引量:
3
1
作者
程翔
陈朝
+1 位作者
徐富春
刘铁林
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第10期1264-1268,共5页
采用射频等离子体增强化学气相沉积 (RF- PECVD)法携带 N2 或 NH3制备掺氮的类金刚石 (DL C∶ N)薄膜 ,对不同掺杂方法得到 DL C∶ N薄膜进行电化学 C- V测量 .I- V和 C- V曲线表明 ,不论是采用 N2 或是 NH3进行掺杂都得到 n型的 DL C薄...
采用射频等离子体增强化学气相沉积 (RF- PECVD)法携带 N2 或 NH3制备掺氮的类金刚石 (DL C∶ N)薄膜 ,对不同掺杂方法得到 DL C∶ N薄膜进行电化学 C- V测量 .I- V和 C- V曲线表明 ,不论是采用 N2 或是 NH3进行掺杂都得到 n型的 DL C薄膜 ,掺 NH3的样品载流子浓度能达到更高 .根据样品的电化学 C- V测量结果并结合 X射线光电子能谱 ,详细研究了 DL C∶ N薄膜载流子浓度的纵向分布 。
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关键词
掺氮类金刚石薄膜
电化学C—V
X射线光电子能谱
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职称材料
题名
掺氮类金刚石薄膜的电化学C-V研究
被引量:
3
1
作者
程翔
陈朝
徐富春
刘铁林
机构
厦门大学物理系
深圳市纳诺材料技术研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第10期1264-1268,共5页
文摘
采用射频等离子体增强化学气相沉积 (RF- PECVD)法携带 N2 或 NH3制备掺氮的类金刚石 (DL C∶ N)薄膜 ,对不同掺杂方法得到 DL C∶ N薄膜进行电化学 C- V测量 .I- V和 C- V曲线表明 ,不论是采用 N2 或是 NH3进行掺杂都得到 n型的 DL C薄膜 ,掺 NH3的样品载流子浓度能达到更高 .根据样品的电化学 C- V测量结果并结合 X射线光电子能谱 ,详细研究了 DL C∶ N薄膜载流子浓度的纵向分布 。
关键词
掺氮类金刚石薄膜
电化学C—V
X射线光电子能谱
Keywords
N-doped diamond-like carbon film
electroche mical capacitance-voltage
X-ray photoelectron spectra
分类号
TN304.18 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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被引量
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1
掺氮类金刚石薄膜的电化学C-V研究
程翔
陈朝
徐富春
刘铁林
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
3
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