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掺氮类金刚石薄膜的电化学C-V研究 被引量:3
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作者 程翔 陈朝 +1 位作者 徐富春 刘铁林 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第10期1264-1268,共5页
采用射频等离子体增强化学气相沉积 (RF- PECVD)法携带 N2 或 NH3制备掺氮的类金刚石 (DL C∶ N)薄膜 ,对不同掺杂方法得到 DL C∶ N薄膜进行电化学 C- V测量 .I- V和 C- V曲线表明 ,不论是采用 N2 或是 NH3进行掺杂都得到 n型的 DL C薄... 采用射频等离子体增强化学气相沉积 (RF- PECVD)法携带 N2 或 NH3制备掺氮的类金刚石 (DL C∶ N)薄膜 ,对不同掺杂方法得到 DL C∶ N薄膜进行电化学 C- V测量 .I- V和 C- V曲线表明 ,不论是采用 N2 或是 NH3进行掺杂都得到 n型的 DL C薄膜 ,掺 NH3的样品载流子浓度能达到更高 .根据样品的电化学 C- V测量结果并结合 X射线光电子能谱 ,详细研究了 DL C∶ N薄膜载流子浓度的纵向分布 。 展开更多
关键词 掺氮类金刚石薄膜 电化学C—V X射线光电子能谱
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