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深圳IC制造业的闪亮新星——崛起中的方正微电子
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《中国集成电路》 2007年第8期78-81,共4页
深圳是全国最大的IC产品消费市场,也是七个国家集成电路设计产业化基地之一,在芯片的消费和设计方面,在全国遥遥领先。据统计,珠三角对IC产品的需求量目前约占全国的70%,而深圳IC产品的使用量又占这一地区的80%左右。深圳现有计... 深圳是全国最大的IC产品消费市场,也是七个国家集成电路设计产业化基地之一,在芯片的消费和设计方面,在全国遥遥领先。据统计,珠三角对IC产品的需求量目前约占全国的70%,而深圳IC产品的使用量又占这一地区的80%左右。深圳现有计算机、程控交换机、彩电等电子整机厂家达1500多家。2006年,深圳IC设计产业销售额再上台阶, 展开更多
关键词 IC产品 深圳 微电子 制造业 集成电路设计 方正 闪亮 消费市场
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六英寸Si基GaN功率电子材料及器件的制备与研究 被引量:1
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作者 何亮 张晓荣 +5 位作者 倪毅强 罗睿宏 李柳暗 陈建国 张佰君 刘扬 《电源学报》 CSCD 北大核心 2019年第3期26-37,共12页
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表,具有优异的材料物理特性,更加适合于下一代电力电子系统对功率开关器件更大功率、更高频率、更小体积和更恶劣工作温度的要求。为了兼容Si基CMOS工艺流程,以及考虑到大尺寸、低成本等优势,在Si... 氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表,具有优异的材料物理特性,更加适合于下一代电力电子系统对功率开关器件更大功率、更高频率、更小体积和更恶劣工作温度的要求。为了兼容Si基CMOS工艺流程,以及考虑到大尺寸、低成本等优势,在Si衬底上进行GaN材料的异质外延及器件制备已经成为业界主要技术路线。详细介绍了在6英寸Si衬底上外延生长的AlGaN/GaN HEMT结构功率电子材料,以及基于6英寸CMOS产线制造Si基GaN功率MIS-HEMT和常关型Cascode GaN器件的相关成果。 展开更多
关键词 6英寸Si衬底 AlGaN/GaN功率电子材料 CMOS工艺 GaNMIS-HEMT器件 常关型
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化学染色法在pn结分析中的应用研究 被引量:6
3
作者 金波 马万里 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期78-82,共5页
化学染色法是pn结分析中较普遍的方法,不同的化学染色法所显现出pn结的剖面形貌会受到化学试剂、pn结固有性质、染色工艺参数的影响。研究了常用的铬酸溶液染色法、醋酸溶液染色法、BOE溶液染色法和硫酸铜溶液染色法之间的差异。在一定... 化学染色法是pn结分析中较普遍的方法,不同的化学染色法所显现出pn结的剖面形貌会受到化学试剂、pn结固有性质、染色工艺参数的影响。研究了常用的铬酸溶液染色法、醋酸溶液染色法、BOE溶液染色法和硫酸铜溶液染色法之间的差异。在一定范围内,铬酸溶液染色法、醋酸溶液染色法、BOE溶液染色法适合染出p区,硫酸铜溶液染色法适合染出n区,铬酸溶液染色法可以染出较小尺寸的pn结。染色时间的增加将会使所染pn结形貌变大,而染色溶液温度的升高对所染pn结形貌影响不大,但会使部分在常温下不能染出的pn结染出,BOE溶液染色法所得出的pn结较接近真实形貌。 展开更多
关键词 PN结 化学染色 P区 n区 剖面形貌
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沟槽型VDMOS源区的不同制作方法研究 被引量:3
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作者 马万里 赵文魁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第11期840-843,856,共5页
沟槽VDMOS产品为满足电性能力要求,源极区域必须与p型体区短接,为了达到此目的,传统的做法是,源极需要进行一次光刻,在p型体区中做出阻挡源区注入的胶块,然后再进行源区注入。提出几种其他的制作方式,可以省去源区光刻,但同样可以达到... 沟槽VDMOS产品为满足电性能力要求,源极区域必须与p型体区短接,为了达到此目的,传统的做法是,源极需要进行一次光刻,在p型体区中做出阻挡源区注入的胶块,然后再进行源区注入。提出几种其他的制作方式,可以省去源区光刻,但同样可以达到原来的目的。诸如,通过刻蚀Si孔将源区与p型体区短接;或者利用刻蚀出的沟槽侧壁做屏蔽进行源区注入;利用凸出沟槽的多晶硅做屏蔽进行源区注入。这些办法都可简化工艺流程,缩短制造周期,节约制造成本,增强器件可靠性,提高产品的竞争力。 展开更多
关键词 沟槽 垂直双扩散晶体管 源极 单脉冲雪崩击穿能量 硅孔
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半导体厂含氟废水处理工程改造 被引量:11
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作者 程姣 石凯 李应华 《中国给水排水》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期28-30,共3页
半导体生产废水中氟化物浓度较高,原有除氟工艺为二级加药[石灰、Al2(SO4)3]、二级沉淀,但出水氟化物不能达标。现将工艺调整为原水与石灰反应后即直接与Al2(SO4)3反应,再沉淀,同时改善反应条件。在基本不增加总投药量的情况下,出水氟... 半导体生产废水中氟化物浓度较高,原有除氟工艺为二级加药[石灰、Al2(SO4)3]、二级沉淀,但出水氟化物不能达标。现将工艺调整为原水与石灰反应后即直接与Al2(SO4)3反应,再沉淀,同时改善反应条件。在基本不增加总投药量的情况下,出水氟化物浓度可稳定控制在8.0mg/L左右,达到了广东省《水污染物排放限值》(DB 44/26—2001)的一级标准。 展开更多
关键词 含氟废水 化学沉淀 工艺改造
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基于研磨抛光切片技术的芯片结构观察研究 被引量:5
6
作者 金波 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期588-591,595,共5页
芯片结构观察广泛应用于芯片的生产、工艺改进、失效分析和可靠性等领域。芯片结构分为剖面结构和表面各层结构,对芯片进行切片是观察其内部结构的一种较为简便的方法。研磨抛光切片是一项低成本的切片技术,但由于精度较低、操作复杂,... 芯片结构观察广泛应用于芯片的生产、工艺改进、失效分析和可靠性等领域。芯片结构分为剖面结构和表面各层结构,对芯片进行切片是观察其内部结构的一种较为简便的方法。研磨抛光切片是一项低成本的切片技术,但由于精度较低、操作复杂,较少应用于芯片的结构观察。详细说明了研磨抛光切片技术的原理,给出了改进后的切片工艺,并通过实例说明该方法在芯片剖面结构观察和表面各层结构观察中的应用。该方法可满足大部分情况下对芯片结构观察的需要。讨论了该技术目前存在的问题。 展开更多
关键词 芯片结构 研磨抛光 切片
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VDMOS结终端技术对比研究 被引量:2
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作者 赵圣哲 李理 赵文魁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期46-50,共5页
垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应管(VDMOS)器件的反向耐压能力主要取决于器件结构中的特定pn结反偏击穿电压,由于pn结特性,击穿通常发生在结终端。随着结终端技术的发展,功率VDMOS器件的击穿特性有了很大的提升。主要介绍了几种目前... 垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应管(VDMOS)器件的反向耐压能力主要取决于器件结构中的特定pn结反偏击穿电压,由于pn结特性,击穿通常发生在结终端。随着结终端技术的发展,功率VDMOS器件的击穿特性有了很大的提升。主要介绍了几种目前常用的结终端技术的结构及工作原理,包括场限环技术、p+偏移技术、横向变掺杂技术、结终端扩展技术和RESURF技术。重点探讨了每种方法的优缺点,并指出几种结终端技术不同的设计难度、工艺控制和实现要点等。同时固定元胞设计,采用不同的结终端技术试制了600 V VDMOS产品,对比了采用不同结终端技术制作芯片的工艺制造以及成本,可为实际的制造生产提供理论指导。 展开更多
关键词 结终端 场限环(FLR)技术 p+偏移技术 横向变掺杂(VLD)技术 结终端扩展(JTE)技术 RESURF技术
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厚铝芯片制造工艺的光刻对准效果改善 被引量:3
8
作者 马万里 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第10期679-682,共4页
对于厚铝芯片的制造工艺,由于光刻对准标记上覆盖了厚的铝层,对准标记形貌轮廓会变得模糊,这会导致光刻对准出现困难,对偏的问题将变得常见。为了解决此问题,提出了多种改善方法,首先采用叠加标记法,通过将不同层次的对准标记进行叠加,... 对于厚铝芯片的制造工艺,由于光刻对准标记上覆盖了厚的铝层,对准标记形貌轮廓会变得模糊,这会导致光刻对准出现困难,对偏的问题将变得常见。为了解决此问题,提出了多种改善方法,首先采用叠加标记法,通过将不同层次的对准标记进行叠加,增大了标记的台阶,对准标记的轮廓变得比原来清晰。其次是局部溅射法,通过夹具保护对准标记,确保标记不被厚铝覆盖,因此厚铝将不会对对准标记产生任何影响。最后是剥离工艺法,通过光刻胶保护对准标记,使之不被厚铝覆盖,因此,对准标记形貌将会保持清晰。这些方法在工艺和原理上是不同的,它们适用于不同的环境。通过这些方法,基本可以解决厚铝工艺中光刻对准困难的问题。 展开更多
关键词 厚铝 光刻 对准 功率器件 专用器件
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湿法去层法在芯片失效分析中的应用研究 被引量:3
9
作者 金波 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期850-854,共5页
去层技术广泛应用于芯片生产、失效分析和逆向设计等领域。去层技术分为干法去层法和湿法去层法两种,湿法去层法是通过特定的化学溶液去除不需要的薄膜层次,留下所需要的薄膜层次的方法。与干法去层法相比,湿法去层法具有操作简单、设... 去层技术广泛应用于芯片生产、失效分析和逆向设计等领域。去层技术分为干法去层法和湿法去层法两种,湿法去层法是通过特定的化学溶液去除不需要的薄膜层次,留下所需要的薄膜层次的方法。与干法去层法相比,湿法去层法具有操作简单、设备低廉、效率高的优点,但也存在对部分薄膜层次去除效果不佳或者不能去除的缺点。较为详细地说明了各个薄膜层次的湿法去层法原理,给出了改进后的去层工艺;通过实例,说明了该方法在失效分析中的应用。该方法可以满足大部分情况下对芯片各个薄膜层次结构进行观察的需要。 展开更多
关键词 去层技术 失效分析 湿法去层 结构观察
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超结VDMOS漂移区的几种制作工艺 被引量:2
10
作者 马万里 赵圣哲 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第9期689-693,702,共6页
超结VDMOS与常规VDMOS的主要差异在于漂移区,超结VDMOS是在常规VDMOS的n型漂移区中插入了p型区。此p型区具有较大的深度与宽度比,利用一次注入与驱入工艺无法实现,所以这种超结结构的制造工艺难度比常规VDMOS大。介绍了目前实现超结结... 超结VDMOS与常规VDMOS的主要差异在于漂移区,超结VDMOS是在常规VDMOS的n型漂移区中插入了p型区。此p型区具有较大的深度与宽度比,利用一次注入与驱入工艺无法实现,所以这种超结结构的制造工艺难度比常规VDMOS大。介绍了目前实现超结结构的多次外延与注入法、多次高能离子注入法、深沟槽填p型外延法及深沟槽侧壁倾斜注入法四种主要工艺方法,重点探讨了每种方法的优缺点、制造工艺难度和适用性。对各种方法的产业化前景进行了分析,认为深沟槽填p型外延法是最适宜产业化的工艺技术。 展开更多
关键词 超结 垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS) 漂移区 外延 工艺
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硅基恒流二极管研究现状及展望 被引量:2
11
作者 赵圣哲 马万里 赵文魁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第10期764-769,共6页
主要综述了硅基恒流二极管(CRD)国内外的发展历史和研究现状,并以横向沟道CRD为例,详述了器件的工作原理和关键参数,并分析了影响器件性能的主要因素。同时重点研究了目前国内市场上CRD的主流制作方法,包括横向沟道结构和垂直沟道结构(... 主要综述了硅基恒流二极管(CRD)国内外的发展历史和研究现状,并以横向沟道CRD为例,详述了器件的工作原理和关键参数,并分析了影响器件性能的主要因素。同时重点研究了目前国内市场上CRD的主流制作方法,包括横向沟道结构和垂直沟道结构(注入形成p+区,沟槽填充多晶以及MOS结构等)。对不同器件结构的优缺点进行了比较分析,认为垂直沟道CRD在器件集成度和恒定电流调整等方面具有一定的优势。简要介绍了CRD在LED驱动中的应用。展望了CRD的未来发展前景。 展开更多
关键词 恒流二极管(CRD) 横向沟道 垂直沟道 沟槽结构 恒流源
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一种新型高压功率器件终端结构的实现 被引量:1
12
作者 李理 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期215-218,228,共5页
基于实际生产需求,通过软件仿真对一种新型高压功率器件的终端结构进行了优化设计,并制备了性能良好的器件。使用TCAD软件对新型终端的性能进行了仿真,并对终端结构参数进行了优化。仿真结果表明,新结构可以有效缩小终端面积并提高器件... 基于实际生产需求,通过软件仿真对一种新型高压功率器件的终端结构进行了优化设计,并制备了性能良好的器件。使用TCAD软件对新型终端的性能进行了仿真,并对终端结构参数进行了优化。仿真结果表明,新结构可以有效缩小终端面积并提高器件的击穿电压。经过生产工艺优化,对采用新型终端结构和传统结构的垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)(650 V)产品分别进行了流片。实测结果表明,采用新型终端结构器件的反向击穿电压为750 V,终端宽度为119μm,产品良率大于90%。与有相同击穿电压采用传统结构的VDMOS相比,其终端宽度缩小50%以上,良率基本相同。 展开更多
关键词 场限环 终端结构 功率器件 击穿电压 垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)
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VDMOS的UIS能力与制造工艺流程的关系 被引量:1
13
作者 马万里 赵文魁 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期285-288,共4页
介绍了几种不同工艺流程:利用光刻胶做掩蔽的P+掩模注入工艺,利用ILD做掩蔽的接触孔P+注入工艺,利用LTO形成的Spacer做屏蔽的平面氧化层P+工艺。分析了这几种工艺流程与UIS能力的关系。由于受光刻工艺影响存在差异,这三种做法最后形成的... 介绍了几种不同工艺流程:利用光刻胶做掩蔽的P+掩模注入工艺,利用ILD做掩蔽的接触孔P+注入工艺,利用LTO形成的Spacer做屏蔽的平面氧化层P+工艺。分析了这几种工艺流程与UIS能力的关系。由于受光刻工艺影响存在差异,这三种做法最后形成的Deep body区域的横向尺寸差异很大,导致了其UIS能力差异也很大。最后,通过仿真,验证了平面氧化层P+工艺确实具有最强的UIS能力,与理论分析完全一致。 展开更多
关键词 垂直双扩散晶体管 非箝位感性开关 单脉冲雪崩击穿能量
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特种气体输送系统安全运行探讨 被引量:5
14
作者 杨敏杰 《广州化工》 CAS 2012年第11期239-241,共3页
论述了特气的性质及分类,对特气输送系统的主要构成单元:尾气处理器、特气气柜/气架、特气分配箱/分配盘、输送管线和特气监控/侦测系统的功能和用途进行了介绍,为避免特气输送系统出现泄漏,对特气系统日常安全运行管理和特气泄漏应急... 论述了特气的性质及分类,对特气输送系统的主要构成单元:尾气处理器、特气气柜/气架、特气分配箱/分配盘、输送管线和特气监控/侦测系统的功能和用途进行了介绍,为避免特气输送系统出现泄漏,对特气系统日常安全运行管理和特气泄漏应急处理提出了建议。 展开更多
关键词 特气 输送 监控 管理
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集成稳压二极管的器件结构和工艺研究 被引量:2
15
作者 潘光燃 王焜 《电子与封装》 2013年第7期28-31,共4页
在集成电路中,稳压二极管的器件结构和工艺方法有很多种,它们的器件特性、工艺特征、工艺控制方法各不相同。文章对各种集成稳压二极管的结构和工艺方法分别进行了分析和研究,包括稳压二极管的反向击穿点、稳定电压的离散性和热稳定性... 在集成电路中,稳压二极管的器件结构和工艺方法有很多种,它们的器件特性、工艺特征、工艺控制方法各不相同。文章对各种集成稳压二极管的结构和工艺方法分别进行了分析和研究,包括稳压二极管的反向击穿点、稳定电压的离散性和热稳定性、工艺集成的便捷性、关键工艺控制点等。通过这些研究,总结了这些稳压二极管的器件结构及其工艺方法各自的利弊,为工程人员设计、研究和开发集成有稳压二极管的技术平台提供了一些参考方向。 展开更多
关键词 稳压二极管 稳定电压 反向击穿 工艺
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Trench VDMOS制造流程中多晶相关工艺问题研究 被引量:1
16
作者 赵文魁 马万里 《电子与封装》 2014年第7期26-28,共3页
Trench VDMOS的制造流程中,要进行多晶的淀积、回蚀、清洗,其效果的好坏会直接影响到器件的电学参数,诸如Vth、Igss等。在淀积工艺中,要重点控制沉积速率、炉管清洁周期,防止产生沟槽内多晶膜层出现缝隙以及沟槽外多晶层出现凸起。在回... Trench VDMOS的制造流程中,要进行多晶的淀积、回蚀、清洗,其效果的好坏会直接影响到器件的电学参数,诸如Vth、Igss等。在淀积工艺中,要重点控制沉积速率、炉管清洁周期,防止产生沟槽内多晶膜层出现缝隙以及沟槽外多晶层出现凸起。在回蚀工序,要重点控制刻蚀反应物,防止造成多晶残留。清洗工序,通过选择不含水分的溶剂,避免大量水痕缺陷的产生。 展开更多
关键词 沟槽 VDMOS 多晶 淀积 回蚀 清洗 栅源极漏电
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浅谈扩散工艺在半导体生产中的应用 被引量:1
17
作者 李如东 《电子制作》 2017年第15期60-61,共2页
扩散工艺是制作半导体的关键结构PN结的一种常用方法。本文在介绍了扩散的定义、扩散工艺在半导体生产过程中的作用原理和应用范围的基础上,从扩散工艺的工艺流程,扩散工艺在PN结形成中的作用,在半导体生产中扩散工艺方法以及扩散工艺... 扩散工艺是制作半导体的关键结构PN结的一种常用方法。本文在介绍了扩散的定义、扩散工艺在半导体生产过程中的作用原理和应用范围的基础上,从扩散工艺的工艺流程,扩散工艺在PN结形成中的作用,在半导体生产中扩散工艺方法以及扩散工艺的发展四个方面,探究了扩散工艺在半导体生产中的应用。 展开更多
关键词 半导体 扩散工艺 PN结 恒定源扩散 限定源扩散 扩散电阻 分凝效应
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一种新型的剖面化学染色技术研究 被引量:1
18
作者 曹婷 姚雪霞 《电子与封装》 2020年第7期57-60,共4页
化学染色法是一种常见的PN结形貌分析方法。目前常规的化学染色技术有磨角法、滚槽法、电解水氧化法和剖面染色法。提出了一种新型的剖面化学染色技术,在传统的剖面染色法基础上新增了表面剥层、染色及观察步骤,可突破常规化学染色技术... 化学染色法是一种常见的PN结形貌分析方法。目前常规的化学染色技术有磨角法、滚槽法、电解水氧化法和剖面染色法。提出了一种新型的剖面化学染色技术,在传统的剖面染色法基础上新增了表面剥层、染色及观察步骤,可突破常规化学染色技术的局限,实现对PN结分布的观测及PN结缺陷的定位分析。进一步研究发现在新型剖面染色法的染色步骤使用超结染色液,可显著提升化学染色的效果和成功率。应用该化学染色技术,大大降低了半导体产品反向工程及失效分析的时间和成本,为PN结分析提供了方向。 展开更多
关键词 化学染色 常规染色法 剖面染色法 超结染色液 PN结缺陷定位
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一种n^+/p^+环接MOS电容的研制
19
作者 崔金洪 郑玉宁 潘光燃 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第1期53-57,共5页
电容是集成电路的一个组成部分,由于MOS电容与CMOS工艺流程匹配,所以应用广泛。为了改善传统MOS电容值随电压特性的改变而变化的现象,并提高MOS电容值的稳定性,提出了一种新型MOS电容的制作方法和连接结构。新结构是将传统MOS电容的一... 电容是集成电路的一个组成部分,由于MOS电容与CMOS工艺流程匹配,所以应用广泛。为了改善传统MOS电容值随电压特性的改变而变化的现象,并提高MOS电容值的稳定性,提出了一种新型MOS电容的制作方法和连接结构。新结构是将传统MOS电容的一个n+电极更改为p+电极,这样可以使器件的输入电势极性更改前后都为栅氧电容,但在极性更替间,由于有耗尽层存在,电容仍会变小。将两个新结构MOS电容环接,即将其中一个电容的多晶硅层与另一个电容的阱相连接,并用金属连线引出电极,测试结果表明,与传统MOS电容相比,新型MOS电容提升了零电压附近突变区域电容最低值,减小了器件电流波动幅度,有利于提高器件的可靠性。 展开更多
关键词 电容 金属-氧化物-半导体 耗尽区 突变区 波动幅度
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高频双极晶体管工艺特性研究 被引量:1
20
作者 赵圣哲 张立荣 宋磊 《电子与封装》 2019年第7期40-44,共5页
高频双极晶体管由于具有高频、电流放大等特性,已广泛应用到放大器电路、电动机、高频雷达、航空航天工程等领域。对目前典型的高频双极晶体管制作工艺进行了分析与探讨,重点研究了制作工艺中的难点,包括集电极深N阱工艺、多晶硅刻蚀工... 高频双极晶体管由于具有高频、电流放大等特性,已广泛应用到放大器电路、电动机、高频雷达、航空航天工程等领域。对目前典型的高频双极晶体管制作工艺进行了分析与探讨,重点研究了制作工艺中的难点,包括集电极深N阱工艺、多晶硅刻蚀工艺、多晶硅发射极工艺。设计并试制了工程样品,对于关键工艺对器件结构及参数的影响进行了详细的研究,可为实际的生产制造提供理论指导。 展开更多
关键词 高频双极晶体管 集电极深N阱 多晶硅刻蚀 多晶发射极
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