宽禁带半导体用烧结银膏与金属化基板连接机制研究

使用烧结银膏作为封装互连材料可以充分发挥宽禁带半导体在器件应用上的优势,并提高器件的可靠性。通过对无压银膏烧结焊点的微观组织、力学性能和失效模式进行分析,系统地研究了无压银膏烧结焊点在不同温度下的组织演变规律,获得了烧结温度、基板金属化类型对烧结银连接性能和可靠性的影响。当烧结温度达到250℃,银界面无压烧结焊点的剪切强度达到60 MPa以上;金界面无压烧结焊点在200℃时剪切强度最高,升高温度会导致烧结银与金界面原子扩散过快,界面结合强度降低;铜界面无压烧结焊点由于氧化严重,界面出现裂纹,剪切强度远低于金、银界面焊点的剪切强度。